姚剑
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：浙江理工大学更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金浙江省科技计划项目国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理金属学及工艺更多>>
- 硅烷法制备非晶硅粉的晶化研究被引量：1
- 2008年
- 研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律。对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)进行分析。结果表明:当退火温度高于750℃,硅粉开始晶化;温度低于750℃时,硅粉较难结晶。通过Scherrer公式计算,结合SEM和UV验证表明:750℃时,非晶硅粉晶化并不完全,退火后颗粒大小约为200nm。紫外可见光谱分析得到退火后光学带隙为1.5 eV左右。
- 朱成良姚剑徐敏杨红马照军姚奎鸿
- 关键词：化学气相沉积退火晶化
- 铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究被引量：3
- 2007年
- 主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化。结果发现,经过870℃磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流子寿命都有显著的提高,其中来自硅锭底部硅片的少数载流子寿命的提高程度明显低于来自顶部样品寿命的提高幅度。由于氧的分凝效应,在铸造多晶硅底部材料中含有较高浓度的间隙氧。结果表明,多晶硅磷吸杂的效果不仅与材料中过渡族金属的分布以及形态有关,而且还可能与硅中氧的浓度有关。
- 唐骏黄笑容席珍强杜平凡姚剑徐敏
- 关键词：多晶硅少子寿命
- 快速热处理对氮化硅减反射性能的影响
- 2009年
- 采用快速热处理对电池片表面非晶氮化硅膜进行不同温度和不同时间热处理退火比较,研究退火对薄膜减反射性能的影响。结果显示:随着快速热处理温度的升高,其达到较优减反射性能所需的热处理时间缩短;当热处理温度高于800℃时,其减反射性能普遍变差;得出较优的热处理方案为退火温度750℃,退火时间10 s,其加权平均反射率为1.59%。
- 徐敏杜平凡姚剑王龙成席珍强
- 关键词：氮化硅
- 单晶硅太阳电池铝背场的快速热处理制备被引量：3
- 2009年
- 分别采用常规和快速热处理在800℃制备了单晶硅太阳电池的铝背场,并利用扩展电阻、X射线衍射和扫描电镜研究了铝背场的载流子浓度分布、铝硅相的组成和表面形貌。载流子浓度分布显示,快速热处理40s就能在硅片表面形成约7μm的背场,达到常规热处理20min的效果。X射线衍射分析和扫描电镜观察发现,快速热处理与常规热处理都能够在硅片背面形成Al_(3.21)Si_(0.47)相,但是快速热处理后形成了致密的铝硅合金,而常规热处理处理后表面依然呈颗粒分布。这些实验结果表明,快速热处理不仅促进铝在硅中的扩散从而能够在很短的时间形成铝背场,而且还能够同时促进铝硅合金化,形成良好的背电极。
- 姚剑蔡万华席珍强徐敏杜平凡王龙成
- 关键词：硅太阳电池
