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秦涛

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电阻率
  • 1篇切片
  • 1篇微管
  • 1篇无接触
  • 1篇计数
  • 1篇半导体
  • 1篇半绝缘
  • 1篇SIC
  • 1篇SIC单晶

机构

  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇李劼
  • 2篇何秀坤
  • 2篇秦涛
  • 1篇章安辉
  • 1篇曹全喜
  • 1篇董彦辉

传媒

  • 2篇电子科技

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷
2009年
用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等。从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法。
李劼章安辉何秀坤曹全喜秦涛
关键词:微管SIC计数
半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究被引量:1
2009年
与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的。文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算。
秦涛何秀坤董彦辉李劼
关键词:电阻率电容器
共1页<1>
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