董利普
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：东北师范大学物理学院先进光电子功能材料研究中心更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- MgxZn1-xO薄膜的制备及其光学性质研究
- 氧化锌(ZnO)是一种重要的宽带隙半导体材料,室温下其带隙宽度为3．37 eV,激子束缚能高达60 meV。而通过 Mg 掺杂获得的 MgZnO 合金薄膜是作为 ZnO 基异质结构的首选势垒材料,目前仅可以采用脉冲激光沉...
- 董利普刘玉学刘益春徐长山李亚军
- 文献传递
- 六方Mg/_xZn/_（1-x）O纳米晶薄膜的制备及其光学性质研究
- 氧化锌/(ZnO/)是一种具有六方纤锌矿结构的II-VI族宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度高达3.37 eV。由于氧化锌具有较高的激子束缚能/(60 meV/),保证了其在室温下较强的激子发光,因而被认为是制作紫外半导体...
- 董利普
- 关键词：电子束蒸发吸收光谱光致发光X射线光电子能谱
- 文献传递
- 电子束蒸发结合热处理方法制备高质量Mg_xZn_(1-x)O薄膜被引量：3
- 2008年
- 利用电子束蒸发结合热处理方法在150℃下,石英衬底上生长了纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜。用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),吸收光谱和室温光致发光(PL)光谱研究了退火条件和降温方式对MgxZn1-xO薄膜的微结构和光学性质的影响。在吸收光谱中,吸收边和吸收峰的蓝移说明:通过改变退火条件和降温方式,可以将MgxZn1-xO薄膜的带隙从3.37eV提高到3.61eV。从SEM的结果得出:吸收边和吸收峰的蓝移不是由量子限制效应引起的,而是形成了MgxZn1-xO合金薄膜。在XRD谱图中,没观察到属于MgO的衍射峰,700℃退火快速降温至室温薄膜的衍射峰的半高全宽(FWHM)较其他薄膜的衍射峰有所展宽,说明Mg2+已经成功地取代了ZnO中的Zn2+。薄膜的室温光致发光谱说明:通过采用快速降温,可制得高质量的MgxZn1-xO薄膜。
- 董利普刘玉学徐长山刘益春李亚军
- 关键词：电子束蒸发光学性质
