吴殿仲
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 供职机构：首都师范大学物理系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的分子束外延生长
- 半导体超晶格、量子阱概念的提出,开创了人工设计和制备低维量子结构材料的新领域。在三个维度上都受到约束的量子点结构具有独特的量子效应,受到人们越来越多的重视,是当今国际上研究的热点。生长在GaAs衬底上的InAs/InGa...
- 吴殿仲
- 关键词：INAS量子点光致发光分子束外延红外探测器
- 文献传递
- 带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的发光与光电响应被引量：6
- 2009年
- 利用分子束外延技术(MBE),在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品,并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)光谱研究了量子点的表面结构、形貌和光学性质。渐变InGaAs层的插入有效地释放了InAs量子点所受的应力,抑制了量子点中In组分的偏析,提高了外延层的生长质量,降低了势垒高度,使InAs量子点荧光波长红移。伏安特性曲线和光电流(PC)谱结果表明,生长条件的优化提高了器件的红外响应,具有组分渐变的InGaAs层的探测器响应波长发生明显红移。
- 吴殿仲王文新杨成良蒋中伟高汉超田海涛陈弘姜宏伟
- 关键词：INAS量子点光致发光分子束外延红外探测器
