邹涛
- 作品数：2 被引量：14H指数：2
- 供职机构：西安科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 发孔腐蚀工艺对电容器阳极铝箔比容的影响被引量：10
- 2011年
- 用H2SO4-HC l腐蚀体系对高纯铝箔在不同条件下进行发孔腐蚀实验,在85℃扩孔腐蚀液中以0.15 A/cm2的直流电流扩孔腐蚀600 s,经化成处理后采用静电容量测试仪测量腐蚀箔的比容。研究了HC l浓度、电流密度、时间和温度对腐蚀箔比容的影响规律,利用SEM分析了腐蚀孔的形态变化。结果表明,随着c(HC l)的增加,比容呈先增大后减小的规律,当c(HC l)=2.0mol/L时,比容达到最大值;电流密度、时间、温度对比容的影响也有与c(HC l)类似的规律,比容达到最大值所对应的电流密度、温度和时间分别为0.6 A/cm2,80℃和140 s.当c(HC l)为3 mol/L,电流密度为0.7 A/cm2时,腐蚀箔出现明显"并孔"现象。
- 杜双明胡丞邹涛王明静
- 关键词：铝电解电容器阳极铝箔比容
- 铝电解电容器高压阳极铝箔的直流扩面腐蚀研究
- 阳极铝箔的扩面腐蚀是提高铝电解电容器电容量的有效方法，但由于扩面腐蚀工艺复杂，铝箔腐蚀孔的低密度和分布的不均匀性制约了其电容量的进一步提高，同时，阳极铝箔较低的抗折弯性能也难以满足电容小型化要求。本文从提高铝电极箔电蚀扩...
- 邹涛
- 关键词：铝电解电容器铝箔
- 文献传递
