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姜涛

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学

主题

  • 3篇退火
  • 3篇退火处理
  • 1篇碳化硅
  • 1篇退火过程
  • 1篇退火炉
  • 1篇退火温度
  • 1篇晶片
  • 1篇PVT
  • 1篇SIC
  • 1篇6H-SIC
  • 1篇AFM
  • 1篇AR
  • 1篇残余应力
  • 1篇掺氮
  • 1篇初加工

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 3篇姜涛
  • 2篇严成锋
  • 2篇施尔畏
  • 1篇陈建军
  • 1篇刘熙
  • 1篇杨建华
  • 1篇严成峰

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
碳化硅晶片的退火方法
本发明涉及一种碳化硅晶片的退火方法，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时（优选3～6小时）至退火温度1200～1800℃（优选1300～1500℃），在该退火温度恒...
姜涛严成锋孔海宽刘熙陈建军高攀忻隽肖兵施尔畏
文献传递
退火处理对掺氮6H-SiC晶体的影响
碳化硅(SiC)晶体作为第三代半导体材料,由于其具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率等优秀的物理性能和电学性能1,在制备高温、高频、大功率以及抗辐射器件领域具有广阔的应用前景2。目前比较成的碳化硅晶体...
姜涛严成峰施尔畏
关键词：SIC碳化硅PVT
文献传递
Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量：1
2013年
本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。
姜涛严成锋陈建军刘熙杨建华施尔畏
关键词：6H-SIC退火AFM
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