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DBD-PECVD法制备高疏水性氟碳聚合物(a-C:F)薄膜的研究: 2009年; 以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜。使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-C:F薄膜疏水性的影响。实验结果表明,薄膜的沉积速率随放电压力的升高而增大,最大值为193 nm.min-1;当放电压力较低时,薄膜的RMS值小于1.0 nm;放电压力较高时,薄膜的RMS值大于100 nm。无论是改变放电压力还是沉积时间,a-C:F薄膜均表现出很强的疏水特性,最大接触角(以普通滤纸为基底)可达137°。a-C:F薄膜的表面粗糙度是影响a-C:F薄膜疏水性的重要因素。; 尹晔珺李东明刘东平谷建东牛金海冯志庆; 关键词：接触角

DBD-PECVD法制备氟碳聚合物薄膜及二氧化硅薄膜的研究: 氟碳聚合物/(a-C:F/)薄膜有着非常广泛的应用价值。该膜具有较好的疏水性,极低的介电常数/(1.6-2.1/)和生物相融性。作为疏水层应用在纸张、玻璃等材料上;作为介电层应用在超大规模集成电路中;作为钝化层应用在生物...; 尹晔珺; 文献传递

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尹晔珺