李洪源
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学动力工程及工程热物理电子电信更多>>
- N型单晶硅衬底上非晶硅／单晶硅异质结太阳电池计算机模拟被引量：9
- 2008年
- 采用德国HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅/单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差。在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit),发现当Dit>10^(12)cm^(-2)·eV^(-1)时,电池的开路电压和填充因子均大幅减小,导致电池效率降低。当在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入本征非晶缓冲层后,电池性能明显改善,但是缓冲层厚度应控制在30nm以内。模拟的a-Si-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的最高转换效率达到28.47%。
- 任丙彦张燕郭贝张兵李洪源许颖王文静
- 关键词：异质结太阳电池计算机模拟
- Φ200mm CZSi复合式热场的数值模拟研究被引量：2
- 2008年
- 对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提高晶体生长速率和质量提供了必要的理论依据。
- 任丙彦李洪源张燕张兵郭贝
- 关键词：CZSI有限元热对流
- PECVD法沉积氮化硅薄膜退火前后电学性能的变化研究
- 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法沉积SiN薄膜,衬底采用多晶硅(厚度大约为330±40μm,电阻率为0.5~2.0Ωcm),采用常规制备参教条件沉积SiN薄膜,之后对样品进行不同条件的热处理.热处理采用...
- 郭贝张燕张兵李洪源任丙彦励旭东勾宪芳
- 关键词：氮化硅薄膜
- Φ200 mm太阳能级CZSi单晶生长速率的数值模拟研究
- 目前,太阳能光伏产业主要向两个方向发展:/(1/)降低成本;/(2/)提高光电转换效率。而提高硅单晶的单产则是降低成本中极其重要的环节,通过增大投料量,扩大晶体直径固然能够提高单产,但是大投料使得大熔体中的自然对流进一步...
- 李洪源
- 关键词：导流系统温度梯度
- 文献传递
