陈伟业
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：暨南大学更多>>
- 发文基金：广东省教育部产学研结合项目广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb<Sub>0.98</Sub>Sr<Sub>0.02</Sub>(Mn<Sub>1/3</Sub>Sb<Sub>2/3</Sub...
- 刘彭义常鹏祝兰陈伟业
- SiO_2对低温烧结压电陶瓷PMNNS的性能影响被引量：3
- 2012年
- 在烧结温度为1020℃下,采用固相二步合成法制备了Pb(Ni1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机电性能的影响。结果表明:加入SiO2可以明显地降低烧结温度;而且当SiO2的掺杂量为0.1%时,陶瓷的性能最佳,其性能如下:d33=331 pC/N,tanδ=0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr=917。
- 陈伟业刘彭义林彩平常鹏
- 关键词：压电陶瓷SIO2
- 一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb<Sub>0.98</Sub>Sr<Sub>0.02</Sub>(Mn<Sub>1/3</Sub>Sb<Sub>2/3</Sub...
- 刘彭义常鹏祝兰陈伟业
- 文献传递
- Zr与稀土Nd复合掺杂对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 在1 270℃的烧结温度下,采用固相反应法对BaTiO3粉体进行Nd2O3和ZrO2双施主复合掺杂,合成(Ba0.98Nd0.02)(Ti1–xZrx)O3(BTNZ)陶瓷,研究了Zr掺杂量对BTNZ陶瓷的显微结构及介电性能的影响。结果表明:随着Zr掺杂量的增加,BTNZ陶瓷的介电峰移向室温;加入适量的Zr离子替代BaTiO3中的Ti离子能很好地改善BTNZ陶瓷的介电性能,当Zr掺杂量为x=0.01时,BTNZ陶瓷的相对介电常数可达7 200。
- 林彩平刘彭义陈伟业
- 关键词：钛酸钡陶瓷介电性能
