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李根

作品数:4 被引量:4H指数:2
供职机构:中南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术

主题

  • 2篇导电
  • 2篇导电性
  • 2篇共掺
  • 1篇导电机理
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻-温度特...
  • 1篇锑掺杂氧化锡
  • 1篇助烧剂
  • 1篇温度特性
  • 1篇温度系数
  • 1篇相组成
  • 1篇离子
  • 1篇离子导电
  • 1篇离子导电性
  • 1篇化学合成
  • 1篇共沉淀
  • 1篇共沉淀法
  • 1篇复合材料

机构

  • 4篇中南大学
  • 1篇教育部

作者

  • 4篇李志成
  • 4篇张鸿
  • 4篇李根
  • 2篇刘超峰
  • 2篇陈景超
  • 1篇胡湛
  • 1篇夏俊霄
  • 1篇汪键
  • 1篇欧阳攀

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Sb掺杂SnO_2基NTC热敏陶瓷的制备与电学特性被引量:1
2012年
采用湿化学法制备了锑掺杂氧化锡Sn1-xSbxO2-δ(ATO,x=0.003、0.005、0.007和0.01)粉体材料,并以Li2O-TiO2为助烧剂,用传统烧结工艺制得ATO陶瓷。利用X射线衍射分析了材料的相组成,扫描电子显微镜观察陶瓷的微观结构,通过电阻-温度特性测试仪和交流阻抗谱研究了ATO陶瓷导电性随温度的变化。结果表明,ATO材料具有四方晶体结构;1200℃烧结获得致密度为95%以上的陶瓷试样。该陶瓷材料呈现典型的电阻负温度系数效应。利用能带理论和电子跃迁模型讨论了ATO陶瓷的导电机理。
李根陈景超胡湛刘超峰李志成张鸿
关键词:锑掺杂氧化锡化学合成助烧剂导电性
磷锑共掺SnO_2陶瓷的电阻-温度特性被引量:2
2012年
采用湿化学法制备了磷锑共掺氧化锡Sn1–3xSbxP2xO2+δ(x=0.004,0.010,0.030,0.050)材料。利用XRD、SEM、电阻–温度特性测试系统和交流阻抗技术对所制氧化锡材料的物相组成、微观结构及导电特性进行了研究。结果表明:在x=0.004和0.010时,所制氧化锡材料由纯四方结晶相组成,但在x≥0.030时,材料中出现了微量的P2O5和SnP2O7杂质相;所制氧化锡材料的电阻–温度特性具有负温度系数(NTC)效应,这主要是晶粒效应和晶界效应共同作用的结果;最后利用能带理论对该材料的NTC导电机理进行了分析讨论。
欧阳攀张鸿李根李志成
关键词:SNO2导电机理
Li_2CO_3助烧钴镍共掺BaTiO_3基NTC热敏材料被引量:2
2011年
为了开发新型负温度系数(negative temperature coefficient,NTC)热敏陶瓷材料,采用湿化学法制备钴镍共掺BaTiO3(BaTi0.9-xNi0.1CoxO3-δ,x=0.05,0.08,0.10,摩尔分数)粉体,并以质量分数为0.5%的Li2CO3为助烧剂,用传统烧结工艺制备相关陶瓷。用X射线衍射和扫描电子显微镜分析陶瓷的相组成与微观结构,用电阻-温度特性测试和交流阻抗谱分析研究BaTi0.9-xNi0.1CoxO3-δ陶瓷的电学性能。结果表明:在1 373 K烧结可以获得致密性好的陶瓷样品;该材料体系具有六方系晶体结构并呈现明显的NTC效应;x=0.05、0.08、0.10样品的材料常数B分别为3 590、3 796、3 354 K。用电子跃迁机理分析材料的NTC导电特性。
陈景超张鸿李根汪键李志成
关键词:相组成负温度系数
La_(9.33)Si_6O_(26)基氧离子导电复合材料的制备与导电性
2011年
采用改性共沉淀法合成了La9.33Si6O26-10wt%Zr0.86Y0.14O1.92两相共存的氧离子导电复合材料,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、交流阻抗技术分别表征了材料的相组成、微观组织和离子导电性.结果表明,复合材料粉体平均晶粒尺寸为35 nm,烧结块体的平均颗粒尺寸为500 nm;在300~700℃温度范围内,复合材料的导电率均高于La9.33Si6O26或Zr0.86Y0.14O1.92单相材料,且700℃时比La9.33Si6O26高出1个数量级.结合交流阻抗谱及电模量谱对复合材料的导电机理进行了分析讨论.
刘超峰张鸿夏俊霄李根李志成
关键词:复合材料共沉淀法离子导电性
共1页<1>
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