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万正芬

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇衬板
  • 5篇母排
  • 4篇IGBT模块
  • 3篇电感
  • 3篇转弯
  • 3篇芯片
  • 2篇电路
  • 2篇电路板
  • 2篇印制电路
  • 2篇印制电路板
  • 2篇绝缘
  • 2篇功率模块
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体模块
  • 1篇模块封装
  • 1篇局部放电
  • 1篇绝缘胶
  • 1篇绝缘性
  • 1篇绝缘质量
  • 1篇可焊性

机构

  • 7篇株洲南车时代...

作者

  • 7篇彭勇殿
  • 7篇万正芬
  • 6篇赵洪涛
  • 4篇方杰
  • 4篇曾雄
  • 2篇贺新强

传媒

  • 1篇大功率变流技...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法
本申请公开了一种陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法，将陶瓷衬板密封在非金属外壳中，并在所述非金属外壳内灌注绝缘胶，使所述陶瓷衬板与周围环境保持绝缘，所述陶瓷衬板的两面均覆盖有金属层，所述金属层通过引出电极延伸出所述非金属外...
李继鲁方杰万正芬曾雄赵洪涛彭勇殿吴煜东
文献传递
一种IGBT模块
本发明实施例公开了一种IGBT模块，包括：衬板，所述衬板为十字形结构，该衬板具有两两相对的四个翼；位于衬板上的一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排；其中，一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排分别位于所述衬板的不同...
李继鲁方杰万正芬曾雄赵洪涛彭勇殿吴煜东
文献传递
半导体模块功率互联装置及其方法
本发明公开了一种半导体模块功率互联装置及其方法，装置包括：母排、侧框、基板、印制电路板、辅助端引线组件和衬板组件。基板的边缘处设置有侧框，母排和衬板组件均设置在基板上。辅助端引线组件的一端与位于基板上的功率模块电极相连，...
赵洪涛贺新强万正芬李继鲁彭勇殿吴煜东
文献传递
高压IGBT模块AlN覆铜衬板特性研究被引量：1
2012年
根据高压IGBT模块的应用需求,开展了对氮化铝(AlN)覆铜衬板特性的研究。主要验证了AlN覆铜衬板的正面可焊性、背面可焊性、正面可键合性、衬板级绝缘性和模块级绝缘性,并对测试结果进行了分析讨论。
吴煜东万正芬彭勇殿
关键词：IGBT模块可焊性绝缘性
一种IGBT模块
本发明实施例公开了一种IGBT模块，包括：衬板，所述衬板为十字形结构，该衬板具有两两相对的四个翼；位于衬板上的一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排；其中，一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排分别位于所述衬板的不同...
李继鲁方杰万正芬曾雄赵洪涛彭勇殿吴煜东
半导体模块功率互联装置及其方法
本发明公开了一种半导体模块功率互联装置及其方法，装置包括：母排、侧框、基板、印制电路板、辅助端引线组件和衬板组件。基板的边缘处设置有侧框，母排和衬板组件均设置在基板上。辅助端引线组件的一端与位于基板上的功率模块电极相连，...
赵洪涛贺新强万正芬李继鲁彭勇殿吴煜东
一种IGBT模块
本实用新型实施例公开了一种IGBT模块，包括：衬板，所述衬板为十字形结构，该衬板具有两两相对的四个翼；位于衬板上的一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排；其中，一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排分别位于所述衬板的...
李继鲁方杰万正芬曾雄赵洪涛彭勇殿吴煜东
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