公共文化服务平台

γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理被引量：2: 2019年; 用^(60)Coγ射线对国产0.18μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱容量的变化规律。试验的吸收剂量率为50rad(Si)·s^(-1),测试点的吸收剂量分别为10,30,50,100,150,200,350krad(Si)。结果表明,随着吸收剂量的增大,满阱容量发生了明显退化。根据提出的钳位光电二极管(PPD)满阱容量计算模型,对实验结果进行了分析。结果表明,辐照导致PPD沟道所能达到的最小电势和PPD电容的变化是引起满阱容量退化的主要原因。; 蔡毓龙李豫东郭旗文林周东冯婕马林东张翔; 关键词：图像传感器 CMOS

检测计算全息基片面形和材料不均匀性误差的装置和方法: 本发明是检测计算全息基片面形和材料不均匀性误差的装置，包括在实验平台上安装干涉仪、标准镜头、被检测计算全息基片和参考球面镜，标准镜头、被检测计算全息基片和参考球面镜依次位于来自干涉仪的准直光路中，并且它们的旋转中心轴与准...; 冯婕邓超姚政鹏邢廷文; 文献传递

CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究被引量：2: 2017年; 对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致。辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷。; 李豫东文林郭旗何承发周东冯婕张兴尧张兴尧; 关键词：CMOS图像传感器高能粒子

基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法被引量：2: 2017年; 根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率。该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义。; 文林李豫东冯婕郭旗郭旗何承发周东张兴尧于新; 关键词：宇宙射线高能粒子电荷耦合器件

一种基于CGH实现小孔中心定位的装置及其方法: 本发明提供一种基于CGH实现小孔中心定位的装置及其方法，该装置主要包括：实验平台（5），干涉仪（6）、标准镜头（7）、空间滤波器（16）、CGH（8）、成像透镜（9）、CCD（10）和计算机（11），干涉仪（6）提供一束...; 邓超冯婕邢廷文许嘉俊

一种用于装调或检测光学元件的计算机生成全息元件: 本发明提供一种用于装调或检测光学元件的计算机生成全息元件，其包含了一个或多个功能区域，不同功能区域为不同的光栅结构，它们分别是透射主全息区域（301）、反射对准全息区域（302）、基准全息区域（303）和投射全息区域（3...; 邓超冯婕邢廷文许嘉俊; 文献传递

弧矢聚焦双晶单色器出射光束位置测试方法研究: 2008年; 简要介绍了弧矢聚焦双晶单色器的作用及基本原理,描述了离线测量弧矢聚焦双晶单色器出射光斑位置的方法。此方法为弧矢聚焦双晶单色器出射光束位置的快速装调提供了有效的措施。; 张周锋赵建科袁湘兰冯婕

CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律被引量：2: 2018年; 应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能,本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。首先,使用3MeV和10MeV两种能量的质子对图像传感器进行辐照,分析不同能量、不同注量的质子辐照产生热像素的性质;其次,再对辐照后的器件进行退火试验,分析热像素的退火规律。对于相同注量辐照,3MeV质子辐照下热像素产生率大约是10MeV质子辐照下的2.3倍,但是10MeV质子辐照产生热像素的灰度值高于3MeV质子;辐照过程中热像素的数量都是随着注量的增加线性增加。退火过程中,热像素数量都不断减少,而3MeV质子辐照产生的热像素相比于10MeV质子,退火更为显著。结果表明,质子辐照下每个质子与器件之间的作用过程及产生缺陷的机制是相对独立的,不同质子的作用过程之间没有相关性。不同能量的质子辐照产生缺陷的类型不同,导致热像素具有不同特性。; 王田珲李豫东文林冯婕蔡毓龙马林东张翔郭旗; 关键词：CMOS图像传感器质子辐照

基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法: 2017年; 提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值。研究结果表明:CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999 999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999 958。; 冯婕文林文林李豫东; 关键词：CCD 在轨测试

3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为被引量：2: 2019年; 用能量为3MeV的质子对一款国产背照式CMOS图像传感器进行了辐照试验,得到了该传感器的固定模式噪声随质子注量和退火温度的变化情况。结果表明,3MeV质子辐照后,固定模式噪声有所退化;100℃退火后,固定模式噪声有明显恢复。退化原因主要是浮置扩散结构中位移缺陷引起的暗信号发生了非均匀性变化。此外,受工艺因素限制,读出电路晶体管中的SiO_2-Si界面状态在各个像素单元中不一致,导致辐照后电离总剂量效应诱发的界面态陷阱电荷使各个像素单元中读出电路参数的退化情况不同,是固定模式噪声退化的另一个原因。; 张翔李豫东李豫东郭旗文林周东冯婕蔡毓龙王志铭; 关键词：固定模式噪声

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

冯婕