郭倩
- 作品数：2 被引量：12H指数：2
- 供职机构：重庆科技学院冶金与材料工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市教育委员会科学技术研究项目重庆市自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- Ni掺杂ZnS的第一性原理计算被引量：5
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线。结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料。掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动;在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂。纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高。掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰。
- 曾冬符春林蔡苇郭倩谭平张朝阳
- 关键词：第一性原理硫化锌电子结构光学性质
- 锆钛酸钡(BZT)电子结构的第一性原理研究被引量：7
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对Zr掺杂BaTiO3(BTO)的电子结构进行了第一性原理研究。结果表明,纯四方相钛酸钡的禁带宽度为1.863eV;随着锆含量的增加,锆钛酸钡(BZT)的总态密度向高能量方向移动且禁带宽度逐渐增大,导电性能降低,介质损耗减小。
- 霍萌符春林郭倩廖欢邓小玲张朝阳
- 关键词：第一性原理
