冯舟
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院更多>>
- 发文基金：北京航空航天大学青年创新基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- MEMS器件微弱电容检测技术及其实验研究
- 冯舟
- 关键词：惯性器件
- 一种MEMS器件微弱电容检测电路
- 一种MEMS器件微弱电容检测电路，主要用于电容式MEMS器件中微弱电容的变化量检测，包括两组C/V转换器、减法器、积分器和峰值检测器，两组C/V转换器依据微分电路原理，利用同一高频正弦激励源，分别将MEMS器件中的待测微...
- 郭占社冯舟郑德智樊尚春庄海涵
- 文献传递
- 一种MEMS器件微弱电容检测电路
- 一种MEMS器件微弱电容检测电路，主要用于电容式MEMS器件中微弱电容的变化量检测，包括两组C/V转换器、减法器、积分器和峰值检测器，两组C/V转换器依据微分电路原理，利用同一高频正弦激励源，分别将MEMS器件中的待测微...
- 郭占社冯舟郑德智樊尚春庄海涵
- 文献传递
- 考虑制作工艺和边缘效应的梳齿电容理论被引量：3
- 2010年
- 为解决梳齿驱动器中理想计算模型误差较大的问题,利用平板电容理论及微积分方法,对制作工艺及边缘效应的影响进行了分析,并建立相应的计算模型.在此基础上,以加工完毕的梳齿驱动器为研究目标,得到其电容在理想条件下、考虑制造工艺误差及边缘效应条件下的计算结果分别为1.267 3 pF和1.440 3 pF.两者与利用高精度LCR测试仪测量所得电容1.517 2 pF之间的相对误差分别为16.47%和5.07%.实验结果表明,考虑制造工艺误差及边缘效应时计算结果的精度远远高于理想条件下计算结果的精度,证明了该理论模型的正确性.
- 郭占社冯舟庄海涵宋春苗樊尚春
- 关键词：MEMS
- 基于峰值检测的MEMS器件微弱电容检测电路(英文)被引量：5
- 2010年
- 针对MEMS器件研制中微弱信号的检测问题,提出了一种适用于电容式MEMS器件的微弱电容检测电路.此电路采用峰值检测技术,原理及结构简单;只检测待测电容的变化量,既可用于差分式检测,也可应用于单一待测电容的情况.首先利用正弦载波信号和微分电路对电容量进行载波调制,再通过减法电路得到幅值与电容变化量成比例的正弦信号,最后采用峰值检测方法解调信号,得到直流量输出.利用微小可调电容进行标定,结果表明检测电路的线性度良好,灵敏度约为3.631V/pF,精度达到0.2%.利用该检测电路检测MEMS陀螺上振动频率为2.85kHz的梳齿驱动器的电容量变化,输出信号频率为(2.85±0.02)kHz,误差低于0.7%,说明该电路能够应用于MEMS器件的微弱电容检测.
- 郭占社冯舟杨延涛郑德智曹乐
- 关键词：MEMS器件
