公共文化服务平台

共 7 条记录，以下是 1-7

全选清除导出

排序方式：

水热法生长的Co、Sn共掺杂ZnO晶体厚膜的顺磁性被引量：1: 2012年; 采用水热法,6 mol/L KOH作为矿化剂,按物质的量比0.02∶0.5∶1添加SnO2、CoCl2和ZnO作为前驱物,填充度70%,温度430℃,以常规水热法制备的纯ZnO晶片为籽晶([0002]方向),在ZnO籽晶片上制备出多元掺杂的ZnO厚膜。厚膜呈墨绿色,EDS测量显示Co和Zn元素的相对含量为7.47∶92.53。电学测量晶体膜层为n型导电类型,载流子浓度1.15×1020cm-3,电阻率1.94×10-3Ω.cm,迁移率27.8 cm2/V.s,SQUID测量表明厚膜为顺磁性。; 韦志仁马玲鸾段光杰韩伟超刘清波强勇高平张晓军; 关键词：稀磁半导体晶体

水热合成高浓度Co掺杂ZnO晶体的磁性: 本文采用水热法合成高浓度Co掺杂及Co、Sn共掺杂的ZnO晶体。在高纯度的ZnO前驱物中掺入高摩尔比的过渡族金属氧化物或氯化物,6mol/L KOH溶液作为矿化剂,填充度70%,反应温度430℃,合成单掺杂Co的ZnO晶...; 强勇; 关键词：水热法掺杂磁性; 文献传递

Co掺杂对ZnO晶体中光生电子瞬态过程的影响被引量：1: 2009年; 采用气相反应制备了ZnO和ZnO∶Co微晶,并通过热释光研究了材料中的电子陷阱能级(施主能级),采用微波介电谱研究了材料的光生电子瞬态过程。发现纯ZnO热释光谱有两个峰,分别为-183℃和-127℃,说明存在两个电子陷阱能级;而ZnO∶Co中热释光信号很弱,只有纯ZnO的十分之一。微波介电谱研究表明,由于电子陷阱对导带电子的驰豫作用,纯ZnO材料导带光电子的衰减为一级指数过程,寿命为802ns。ZnO∶Co微晶体的最大微波介电谱强度低于纯ZnO晶体的五分之一,电子陷阱密度较小,其光生电子快速衰减,过程仅为10～20ns。结果说明Co掺杂具有明显的抑制电子陷阱能级生成的作用。; 韦志仁强勇彭翔宇高平董国义; 关键词：ZNO 电子陷阱掺杂

Co、Sn共掺杂ZnO晶体的制备及其磁性被引量：3: 2012年; 采用6 mol/L KOH作为矿化剂,SnO2、CoCl2和ZnO按物质的量比为0.02∶0.5∶1的比例混合作为前驱物,填充度70%,温度430℃,时间24 h,采用水热法制备出Co、Sn元素掺杂的ZnO晶体。Sn元素掺杂明显改变了晶体的极性生长特征,较大面积的显露正极面c{0001}面,还显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负锥面{101-1-}和负极面{0001}以及正锥面{1012}和负锥面{101-2-},晶体长度约为50μm。经过EDS测量表征,发现制备的ZnO单晶中Co元素的含量达到10.89at%,生成物中出现少量Co氧化物,SQUID测量表明样品主要表现为顺磁性。; 韦志仁韩伟超马玲鸾段光杰刘清波强勇高平张晓军; 关键词：水热法氧化锌顺磁性

温度及矿化剂对水热法合成In_2O_3晶体的影响被引量：3: 2010年; 采用水热法,以In(OH)3为前驱物,纯水或添加1mol/LKOH和5mol/L KOH分别作矿化剂,填充度为35%,分别在200℃、250℃和350℃条件下反应24h合成了In(OH)3、InOOH和In2O3晶体。研究了在不同温度和使用不同矿化剂时,In(OH)3、InOOH、In2O3相转化规律,并对它们的形貌进行了分析。实验发现:在纯水条件下,200℃时,In(OH)3未发生晶相转化和明显的二次结晶过程,晶体无特定形貌;在250℃、350℃时,晶体转化为InOOH。当矿化剂浓度为1mol/L KOH和5mol/L KOH,温度为200℃时,In(OH)3晶体出现了二次晶化,特别是在5mol/LKOH时,最大晶体尺度达到20μm,最小晶体仅为200nm;当温度达到250℃时,生成InOOH晶体和少量In2O3。超过350℃,水热反应生成立方铁锰矿相In2O3,晶体边长超过50μm,显露{001}、{010}、{100}以及{101}等晶面。; 韦志仁强勇郭树青彭翔宇高平田帅董国义; 关键词：IN2O3 晶体矿化剂水热法

高浓度Co掺杂ZnO晶体的水热法制备及磁性被引量：2: 2012年; 采用水热法以CoO、ZnO混合为前驱物制备了ZnO晶体,矿化剂为6 mol/L KOH,填充度70%,温度430℃,两种样品CoO、ZnO组分物质的量百分比分别为0.5∶1和1∶1。当前驱物为nCo∶nZn=0.5∶1时,合成出Zn1-xCoxO晶体,Co元素掺杂量分别为6.83 at%和9.30 at%。当前驱物中nCo∶nZn=1∶1时,Zn1-xCoxO晶体中Co掺杂比例达到9.31 at%,同时伴有Co3O4生成,其中Zn掺杂比例达到14.59 at%,SEM显示,所制备的Zn1-xCoxO具有明显的ZnO晶体特征,形态完整,最大尺度约为50μm。SQUID测量显示,生成物中Zn1-xCoxO晶体具有顺磁性,Zn1-xCoxO和Co3-xZnxO混合晶体也显示为顺磁性。; 刘清波马玲鸾强勇段平光韩伟超韦志仁; 关键词：稀磁半导体水热法氧化锌晶体

多元过度金属离子共掺杂对氧化锌晶体生长和磁性的影响: 本文采用水热法合成了多种过渡族金属掺杂的ZnO晶体。采用ZnO原料或Zn(OH)2作前驱物,反应前加入一定量的过度金属盐类,高浓度的KOH、NaOH为矿化剂,温度43℃,时间24小时。并对所合成的晶体的形貌特征和磁性进行...; 韦志仁刘新辉强勇姚金宝董国义周秋香李志强; 文献传递

全选清除导出

共1页<1>

强勇