朱喆
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：四川省科技支撑计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 石墨烯的发展现状被引量：4
- 2012年
- 简述了近几年来石墨烯的制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积法、溶液合成法、外延生长法.并对石墨烯的分数量子霍尔效应、透明性、掺杂特性等性质及应用作了概述.最后,对石墨烯未来的发展作了展望.
- 母志强朱喆杨镓溢杨雨梦杨毓晋李卫冯良桓张静全武莉莉
- 关键词：石墨烯分数量子霍尔效应透明性
- 硫化镉薄膜太阳电池及其制备方法
- 本发明属于新能源材料与器件领域，特别涉及一种半导体薄膜太阳电池的制备方法。提出一种以Cd<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>为透明导电层，<I>n</I>型CdS为窗口层，Zn<Sub>2</Sub>S...
- 李卫冯良桓张静全武莉莉蔡亚平谢晗科朱喆高静静
- 文献传递
- 化学水溶液法制备Cd1-xZnxS薄膜及其性质
- 采用化学水溶液法,氨水作为络合剂,制备了Cd1-xZnxS薄膜,获得了制备Cd1-xZnxS薄膜生长的最佳条件,并对其生长机理进行了分析.对最佳条件下的样品进行了XRD、电学性质分析以及组分分析,并计算了薄膜的能隙宽度E...
- 高静静朱喆王洲玲李卫冯良桓王文武张静全武莉莉曾广根
- 关键词：参数优化物理性能
- 文献传递
- ZnSe薄膜的制备及掺杂研究
- ZnSe是一种宽禁带的□-□族半导体材料,适宜作为太阳电池的窗口层.通过磁控溅射方法制备了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性,一方面在溅射气体中通入N2的条件下制备了ZnSe掺N薄膜;另一方面采用共溅射法制备了ZnSe掺A1薄...
- 朱喆王文武高静静罗光灿武莉莉李卫冯良桓张静全黎兵曾广根
- 关键词：掺杂改性理化性质
- 文献传递
- p型硫化镉薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体材料与器件领域，特别涉及一种半导体薄膜的制备方法。提出一种采用磁控溅射装置，通过CdS靶和铜靶共溅射，室温沉积，及后续退火处理；或原位生长共溅射，及后续保压处理，以获得高质量p型CdS薄膜。所述室温沉积，...
- 李卫冯良桓武莉莉张静全蔡亚平谢晗科朱喆高静静
- p型硫化镉薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体材料与器件领域，特别涉及一种半导体薄膜的制备方法。提出一种采用磁控溅射装置，通过CdS靶和铜靶共溅射，室温沉积，及后续退火处理；或原位生长共溅射，及后续保压处理，以获得高质量p型CdS薄膜。所述室温沉积，...
- 李卫冯良桓武莉莉张静全蔡亚平谢晗科朱喆高静静
- 文献传递
- 石墨烯的制备和结构表征
- 04 年人们在实验室制备出了一种新型的二维平面纳米材料——石墨烯,它拥有特殊的单原子层结构,决定了其具有丰富而新奇的物理性质.在过去的几年里,石墨烯广为科学家研究发展,已经成为了备受世人瞩目的国际前沿和热点.本文我们将介...
- 杨镓溢朱喆李卫
- 关键词：石墨烯电极材料
- ZnSe薄膜的制备及掺杂研究
- 2016年
- ZnSe是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,适宜作为光电器件的功能层。通过磁控溅射方法制备了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性。在溅射气体中通入N2的条件下制备了ZnSe掺N薄膜;采用共溅射法制备了ZnSe掺Al薄膜。对制备的薄膜进行了成分、结构、光学和电学性质表征。发现在不同沉积温度下可分别得到六方相和立方相ZnSe;掺杂后的薄膜光学吸收边发生变化,得到了N型和P型导电的薄膜,掺杂薄膜的暗态电导率随温度的变化偏离了Arrhenius关系,表明杂质的引入影响了ZnSe的电学性质。
- 李卫文灿朱喆张静全武莉莉
- 关键词：ZNSE掺杂
