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樊玎玎

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:西北大学信息科学与技术学院更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇热丝
  • 1篇热丝化学气相...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光学
  • 1篇光学参数
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇SICN
  • 1篇XPS
  • 1篇XRD
  • 1篇AFM
  • 1篇HFCVD

机构

  • 2篇西北大学

作者

  • 2篇樊玎玎
  • 1篇贠江妮
  • 1篇赵武
  • 1篇张志勇
  • 1篇屈亚东

传媒

  • 1篇中南大学学报...

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
SiCN薄膜的制备及其光学参数的研究
硅碳氮/(SiCN/)是一种新型的宽带隙半导体材料,光学特性优良,在光电子器件领域具有非常广阔的应用前景。不同Si、C、N元素含量的SiCN薄膜的带隙在2.86-5.00 eV范围内连续可调,非常有利于SiCN薄膜在发光...
樊玎玎
关键词:热丝化学气相沉积光学性质
文献传递
采用热丝化学气相沉积法制备SiCN薄膜的研究
2010年
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析。研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、聚集紧密的SiCN颗粒组成;薄膜虽然已经晶化,但晶化并不充分,存在着微晶和非晶成分,通过Jade软件拟合计算出薄膜的结晶度为48.72%;SiCN薄膜不是SiC和Si3N4的简单混合,薄膜中Si,C和N这3种元素之间存在多种结合态,主要的化学结合状态为Si—N,Si—N—C,C—N,N=C和N—Si—C键,但是,没有观察到Si—C键,说明所制备的薄膜形成了复杂的网络结构。
赵武屈亚东张志勇贠江妮樊玎玎
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