熊诗杰
- 作品数：17 被引量：15H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 一维随机掺杂共轭电聚乙炔的导电系数及其温度依赖性的理论研究
- 熊诗杰郑元庆余导志陈捷申
- 关键词：聚乙炔掺杂温度
- 在电场中水分子和水合离子结构变化的理论研究
- 源匮乏正日益成为制约世界经济发展的瓶颈口，发展新的水处理技术已成为当务之急。利用电场处理水，以达到防垢、除垢、杀菌灭藻目的，是今年来发展势头非常强劲的水处理新技术，只是对其微观作用机理迄今仍不态清清晰。＜’[1H4]＞本...
- 熊诗杰郑元庆余守志
- 关键词：电场水分子水合离子氢键势垒
- 共轭高分子非线性光学材料结构与性能关系的研究被引量：1
- 1998年
- 探讨了共轭高分子材料的非线性光学性能与其化学结构之间的关系，确证共轭高分子非线性光学性能与共轭高分子的主链骨架结构、侧链取代基结构、掺杂物质的结构和浓度有密切关系。
- 郑元庆余守志熊诗杰熊诗杰林铭芳周贺英张雯陈峡忠
- 关键词：共轭高分子非线性光学
- 南京大学磁性材料研究中的若干进展
- 2007年
- 简要报道了近年来在南京大学磁性材料研究中的若干进展，内容涉及：核壳结构复合纳米材料的制备与磁性，原子尺度磁性材料的自组织制备，各向异性永磁薄膜，轻稀土巨磁致伸缩材料，磁致冷材料，多铁性材料，双钙钛矿室温隧道磁电阻效应，自旋电子学材料，稀磁半导体中的RKKY互作用及团簇化对铁磁性的影响，有机体系中的自旋输运等。
- 都有为钟伟丁海峰唐少龙王敦辉张凤鸣熊诗杰吴镝
- 关键词：磁性材料自旋电子学磁热效应磁致伸缩效应磁性薄膜
- 耦合双量子点中基态电子的隧穿特性
- 2004年
- 介绍了以 Si/ Si O2 系统构成的量子异或门的工作原理 ,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性 .研究结果表明 ,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿 ,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化 .目前模拟的特征变化曲线表明 ,可获得实验上理想的隧穿时间 (工作频率 )和相应的栅压 (工作电压 )
- 肖洁施毅熊诗杰张荣郑有炓
- 关键词：量子比特隧穿时间量子点
- 金属超晶格电子结构的研究
- 熊诗杰
- 硅纳米结构中硅空位缺陷引发的双峰蓝光发射被引量：1
- 2004年
- 报道了在硅纳米结构中 4 1 7nm和 4 36nm双峰结构的蓝光发射的实验和理论研究结果 .制备了四种包含和没有包含β SiC纳米晶粒的硅纳米结构 ,观察到了 4 1 7nm和 4 36nm的双峰蓝光发射 .光致发光谱的分析和微结构的观察揭示了蓝光发射与硅纳米结构中过剩硅缺陷中心的存在有关 .计算了由过剩硅原子形成的含有硅空位缺陷的纳米晶粒的电子能级 ,发现计算所得的态密度的特征与观察到的双峰发射吻合 .这项工作提出了在许多硅纳米结构中存在 4 1 7nm和 4
- 胡冬生吴兴龙熊诗杰黄高山张正义
- 关键词：硅纳米结构空位缺陷电子能级
- 子带重叠对兆兆赫场驱动下的电阻分流半导体超晶格中直流偏置电压产生的影响
- 1999年
- 研究了处于外加高频交变场下的半导体超晶格中两个重叠子带内的弹道电子的运动。我们应用半经典的平衡方程途径来决定自发产生的直流电压和电流对于外加场的频率的依赖关系。数值模拟结果显示，在该频率范围的中段，直流电流的绝对值的包络线近似地随频率线性地衰减，然而在较高的外加交变场的频率下，如果在两个子带的电子平衡能量和电子占据几率之差达到一定的数值，自发的直流偏置电流的绝对值成为常数，而与外加交变场的频率无关。本文讨论了这一常数偏置电流和两个子带结构之间的关系，这对研究这种材料在超高频信息处理中的应用有一定意义。
- 陈涛陈捷申余守志胡泳棋熊诗杰陈峡忠
- 关键词：半导体超晶格高频电场
- 半羟化的碳化硅片的第一性原理研究
- 2011年
- 通过密度泛函理论,研究了碳化硅片被羟化时的电磁特性.所研究的碳化硅片为六角蜂窝状结构,碳硅原子之比为1∶1,相间排列.由于碳化硅片中含碳、硅两种元素;为此,分别考虑了全部的碳原子以及全部的硅原子分别被羟化的情形,结果发现了丰富的电磁特性.由于羟基对羟化原子的吸引作用,碳硅原子出现分层,对应于碳、硅原子被羟化时的碳硅层间距分别为0.671、0.390,碳硅键长度也分别伸长为1.904、1.861,而对应的键角C-O-H与Si-O-H分别为107.8°、114.1°,表现了新奇的几何结构特点.由形成能计算发现羟化是放热的,说明此过程易实现.为寻找到最稳定的磁状态,分别考察了铁磁、反铁磁以及非磁三种构型,结果发现,当所有碳原子被羟化时,材料为非磁性的正常金属;而当其中所有的硅原子被羟化时,是直接带隙为1.12 eV的反铁磁半导体.其中,硅被羟化时的结构更稳定.这些说明通过调节碳化硅片中羟化的不同位置,可以有效地调节碳化硅片的电磁特性,预示着在未来的纳米功能材料中可能的应用.
- 高本领王宝林熊诗杰
- 关键词：密度泛函理论羟化反铁磁半导体
- 发光高分子聚合物中的无序结构及其对电子性质的影响
- 1997年
- 发光高分子聚合物的电子结构和发光机制的理论研究，是引起人们广泛重视的基础理论研究的新领域．文章简要介绍了这方面的研究概况。
- 熊诗杰
- 关键词：发光聚合物局域化电子能带结构
