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于春崎

作品数：4 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院研究生院更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇刻蚀
  • 2篇电学性能
  • 2篇淀积
  • 2篇液晶
  • 2篇液晶显示
  • 2篇液晶显示器
  • 2篇扫描线
  • 2篇显示器
  • 2篇接触孔
  • 2篇晶体管
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管液...
  • 1篇道长
  • 1篇电流
  • 1篇开口率
  • 1篇沟道
  • 1篇光刻
  • 1篇VP
  • 1篇A-SI

机构

  • 2篇中国科学院长...
  • 2篇吉林北方彩晶...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 4篇于春崎
  • 3篇汪梅林
  • 2篇邵喜斌
  • 2篇侯旭峰
  • 2篇郭睿
  • 2篇王丽娟
  • 2篇林鸿涛
  • 1篇汪永安
  • 1篇辛玉洁

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇现代显示

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺被引量：2
2008年
5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8 mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。
辛玉洁于春崎
关键词：薄膜晶体管
像素设计中沟道宽和长的选择被引量：3
2007年
讨论了沟道宽(W)和长(L)对薄膜晶体管的开态电流(I_(on)),关态电流(I_(off))、开口率以及跳变电压(△V_p)的影响。
汪梅林于春崎汪永安
关键词：薄膜晶体管开口率
薄膜晶体管液晶显示器制造方法
一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display TFT－LCD)的制造。提供一玻璃基板，在基板表面形成第一层金属层...
邵喜斌林鸿涛于春崎王丽娟郭睿侯旭峰汪梅林
文献传递
薄膜晶体管液晶显示器制造方法
一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display TFT-LCD)的制造。提供一玻璃基板，在基板表面形成第一层金属层...
邵喜斌林鸿涛于春崎王丽娟郭睿侯旭峰汪梅林
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