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赵志远

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇热电性能
  • 3篇化学腐蚀
  • 2篇子线
  • 2篇量子
  • 2篇量子结构
  • 2篇量子线
  • 2篇硅锗
  • 2篇硅锗合金
  • 2篇N型
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇氧化物
  • 1篇热电
  • 1篇热电材料
  • 1篇热电效应
  • 1篇子结构
  • 1篇钴氧化物
  • 1篇硅片

机构

  • 4篇北京科技大学

作者

  • 4篇徐桂英
  • 4篇赵志远
  • 2篇吴晓峰
  • 1篇贾斌
  • 1篇吴卿
  • 1篇孟疌

传媒

  • 2篇中国材料科技...

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
N型铌钴氧化物热电材料的合成和热电性能的研究
2006年
研究了用热压烧结的方法合成Co4Nb2O9和Co0．66Nb1.33O4，并通过常见的检测和分析方法研究了他们的热电性能和微观结构。研究表明Co0.66Nb1.31O4是一种很有希望的n型热电材料.
吴卿徐桂英赵志远贾斌
N型多孔单晶硅片的热电性能研究
2006年
半导体硅热电材料原材料极为丰富，而且安全无毒。尽管硅材料有着比较大的塞贝克系数，但是由于硅的热导率太高而电导率偏低导致热电性能低而不适用于热电材料。为了解决这一问题，本文采用电化学腐蚀的方法制备了N型多孔硅。采用物理气相沉积和电化学腐蚀相结合的方法在硅片上的纳米孔中镶嵌InSb，实现实空结合量子结构。这一结构大大提高了N型硅材料的热电优值，为研制具有高热电转化效率的热电材料开辟了一个新的途径。
赵志远徐桂英孟疌
关键词：热电效应电化学腐蚀
一种纳－微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法
一种纳-微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法，属于热电半导体材料技术领域。涉及含有纳米尺度的硅，In、InSb或Sb量子线或点的纳-微米多孔硅锗合金片的制备。本发明采用电化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法，...
徐桂英赵志远吴晓峰
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一种纳－微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法
本发明供了一种纳－微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法，属于热电半导体材料技术领域。涉及含有纳米尺度的硅，In，InSb或Sb量子线或点的纳－微米多孔硅锗合金片的制备。本发明采用电化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结...
徐桂英赵志远吴晓峰
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