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赵长春

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：长春理工大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇氧化锌
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇硅衬底
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SI基
  • 1篇衬底
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇长春理工大学

作者

  • 2篇赵长春
  • 1篇李野
  • 1篇王新
  • 1篇端木庆铎
  • 1篇刘楠
  • 1篇孙瑶

传媒

  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Cu薄膜生长初期的计算机模拟被引量：2
2013年
基于Monte Carlo模型,在理想基底上设置100×100的二维方形格,利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型,并模拟粒子的气相沉积过程及迁移步数对薄膜生长的影响规律.结果表明:当沉积粒子数逐渐增加时,基底表面的粒子团簇结构逐渐增大;在温度不变的条件下,随着最大迁移步数的增加,团簇逐渐增大,团簇数量逐渐减小,且团簇分布逐渐稀疏;温度升高使粒子聚集为岛状,薄膜呈岛状生长.
刘楠赵长春孙瑶王新李野端木庆铎
关键词：计算机模拟
Si基ZnO薄膜制备技术研究
ZnO薄膜作为一种新型宽带隙半导体材料，有其广泛应用。本文首先从理论上探讨了ZnO薄膜在微光器件中光电阴极上的潜在应用。并通过对少数载流子扩散方程的求解推导了ZnO光电阴极的量子效率。为了将ZnO光电阴极实用化，采用磁控...
赵长春
关键词：硅衬底氧化锌半导体材料
文献传递
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