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贾婷婷

作品数：15 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇介质
  • 6篇漂移
  • 6篇介质薄膜
  • 4篇岛状
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷平衡
  • 4篇端方
  • 4篇掩膜
  • 4篇掩膜版
  • 4篇离子注入
  • 4篇界面层
  • 4篇空位
  • 4篇沟道
  • 3篇电学性能
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇钝化层
  • 2篇原位处理
  • 2篇致密
  • 2篇致密度
  • 2篇剩余电荷

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇温州大学

作者

  • 15篇夏超
  • 15篇王中健
  • 15篇俞跃辉
  • 15篇曹铎
  • 15篇程新红
  • 15篇贾婷婷
  • 10篇徐大伟
  • 9篇宋朝瑞
  • 5篇郑理
  • 1篇万里
  • 1篇张有为

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究被引量：4
2012年
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
张有为万里程新红王中健夏超曹铎贾婷婷俞跃辉
关键词：石墨烯原子层沉积AL2O3薄膜
一种高k介质薄膜的制备方法
本发明提供一种高k介质薄膜的制备方法，在标准的RCA清洗法之前加入H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>、H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>的清洗步骤，可以去除样品表面有机物，提高衬底表...
程新红曹铎贾婷婷王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
文献传递
一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法
本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所...
程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
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一种MIS电容的制作方法
本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O<Sub>2</Sub>，NH<Sub>3</Sub>等离子...
程新红曹铎贾婷婷王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
文献传递
一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法
本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
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一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法
本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所...
程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
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一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法
本发明提供一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多P岛N沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的N型漂移区，位于所述N型漂移区一侧的P型体区，以及位于所述N型漂移区另一侧上的N型漏区，其中，所...
程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
一种MIS电容的制作方法
本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O<Sub>2</Sub>，NH<Sub>3</Sub>等离子...
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