陈晓
- 作品数：7 被引量：10H指数：1
- 供职机构：大连交通大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>
- 高校科普基地的特色化探索与实践
- 2024年
- 随着科技的不断进步和社会对科学知识的日益重视,高校科普基地在推动科学普及、提升公众科学素养方面发挥着重要作用。高校科普基地在当下发展日益迅猛,其蕴含着积极的教育理念与文明。但是高校科普基地在发展过程中还存在一些问题,因此本文旨在探讨高校科普基地的特色化建设路径与实践经验,通过深入分析其特色化发展的案例、存在的问题以及实施策略等,为高校科普基地的建设与发展提供理论支持和实践指导。
- 吴强陈晓
- 关键词：特色文化
- 焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响被引量：1
- 2019年
- 利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且I-V曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,I-V曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是I-V曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.
- 陈晓陈晓王岩国谷林
- 关键词：GAN纳米线电击穿压电效应
- 透射电镜对铁基超导体中微结构的研究
- 本文综合运用透射电子显微学方法的方法对铁基超导体系中的具有超导电性的超导体和未有超导电性的非超导体的微结构进行表征,在这一过程我们主要成功的制备了一系列TEM样品,同时运用选区电子衍射、高分辨图像(HRTEM)、高角环形...
- 陈晓
- 关键词：铁基超导体调制结构
- 文献传递
- 氮化镓纳米线空间电荷层及电学性能研究
- Ga N纳米材料作为纳米功能器件的核心部件,其空间电荷层随外部条件的变化特征及电学性能对器件的设计以及使用都至关重要。本文利用原位电子全息技术,结合选区电子衍射(SAED)、高分辨成像(HRTEM)等分析手段,对Ga N...
- 陈晓
- 关键词：电子全息GAN纳米线
- 文献传递
- 透射电镜表征中锂-氧气电池放电产物的辐照损伤研究被引量：9
- 2015年
- 本文采用透射电子显微镜研究了锂-氧气电池相关放电产物Li2O2、Li2O、LiOH以及Li2CO3在电子束辐照下的晶体结构和电子结构的变化。研究表明Li2O2、Li2O、LiOH以及Li2CO3在电子束辐照下均存在辐照损伤现象;原位选区电子衍射和电子能量损失谱分析表明在电子束辐照下Li2O的结构基本保持不变,而Li2O2、LiOH以及Li2CO3则向Li2O发生转变,各产物的稳定程度依次为Li2CO3≥LiOH≥Li2O2。且Li2CO3样品的电子束辐照具有取向依赖性,低指数[001]比高指数[103]带轴表现出更高的耐辐照损伤能力。随着辐照剂量增加,Li2CO3样品耐辐照时间缩短,损伤程度加剧。
- 彭丽聪赵倪婕陈晓肖东东谷林张志华
- 关键词：辐照损伤选区电子衍射电子能量损失谱
- K_(0.8)Fe_(1.7)SeS超导体内的畴区形貌及三维分布研究
- 2013年
- 本文利用高角环形暗场像(HAADF)和衍衬像研究了K0.8Fe1.7SeS超导样品的超导畴区形貌及三维分布。在[001]带轴下观察到两类形貌的超导畴区,一类畴区尺寸为1μm左右,另一类为由几十纳米大小的小畴区组成的阵列。选区电子衍射和电子能量损失谱结果表明母体区对应Fe空位有序,而超导畴区可能对应K空位有序。STEM-EDS元素Mapping表明超导畴区边缘处K元素含量较多,K0.8Fe1.7SeS超导样品中可能至少存在三个相,分别为:K空位有序超导相、畴区外部Fe空位有序基体相以及两种空位有序区的过渡相。在[100]带轴下观察到了超导畴区具有连通性,构建了K0.8Fe1.7SeS超导样品中超导畴区的三维分布图。
- 陈晓周婷婷姚湲王岩国禹日成段晓峰张志华谷林
- 焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线的影响
- 2019年
- 利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的Ⅰ-Ⅴ曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且Ⅰ-Ⅴ曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,Ⅰ-Ⅴ曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是Ⅰ-Ⅴ曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.
- 陈晓陈晓王岩国谷林
- 关键词：纳米线电击穿GAN
