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何伟

作品数：8 被引量：6H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海-AM基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 6篇超高频
  • 5篇射频识别
  • 5篇UHF_RF...
  • 4篇超高频射频识...
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇噪声
  • 3篇频率综合器
  • 3篇综合器
  • 3篇相位
  • 3篇相位噪声
  • 2篇单片
  • 2篇锁相
  • 2篇锁相环
  • 2篇接收机
  • 2篇混频
  • 2篇混频器
  • 2篇放大器
  • 2篇ASK
  • 1篇单片CMOS

机构

  • 8篇华东师范大学
  • 1篇苏州市职业大...

作者

  • 8篇赖宗声
  • 8篇何伟
  • 7篇张润曦
  • 5篇徐萍
  • 3篇陈子晏
  • 3篇张勇
  • 2篇石春琦
  • 2篇马和良
  • 1篇陈磊
  • 1篇许帅
  • 1篇黄爱波
  • 1篇马聪
  • 1篇周进
  • 1篇田亮
  • 1篇李彬

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 3篇微电子学

年份

  • 6篇2010
  • 2篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
UHF RFID阅读器中优化小数频率综合器设计被引量：1
2010年
给出了一个采用0.18μm CMOS工艺实现,基于三阶、三比特增量-总和调制技术,用于单片超高频射频识别阅读器的小数分频频率综合器。根据所采用的直接变频收发机结构特点及EPCglobal C1G2、ETSI协议的射频部分规范,确定阅读器本地振荡源相位噪声指标要求。测试结果表明:通过配置调制器的噪声传递函数零点,可使该频率综合器200 kHz频偏处的相位噪声得到有效抑制;当从1.8 V电源电压上抽取9.6 mA电流时,距离900 MHz测试中心频率200 kHz、1 MHz频偏处的相位噪声分别为-103与-132 dBc/Hz。
张润曦何伟石春琦赖宗声
关键词：小数分频频率综合器阅读器超高频射频识别
单片UHF RFID阅读器中低噪声频率综合器的设计
2009年
结合EPC global C1 G2协议和ETSI规范要求,讨论了频率综合器噪声性能需求,并设计实现了用于单片CMOS UHF RFID阅读器中的低噪声三阶电荷泵锁相环频率综合器。在关键模块LC VCO的设计中,采用对称LC滤波器和LDO调节器提高VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm CMOS RF工艺实现,测得频率综合器在中心频率频偏200 kHz和1 MHz处相位噪声分别为-109.13 dBc/Hz和-127.02 dBc/Hz。
何伟张润曦徐萍张勇陈子晏赖宗声
关键词：超高频射频识别频率综合器相位噪声
低杂散锁相环中电荷泵的设计被引量：3
2009年
采用IBM0．18μm CMOS工艺，设计了一款应用于433MHzASK接收机中低杂散锁相环的电荷泵电路。设计采用与电源无关的带隙基准偏置电流源和运算放大器，实现了电荷泵充放电电流源的精确匹配，有效抑制了传统电荷泵对锁相环锁定状态中杂散信号的影响。电路在Cadence的Spectre工具下进行仿真，结果表明：当电源电压为1．8V、参考电流为30μA、输出电压范围在0．5～1．5V时，充放电电流精确匹配，杂散小于-80dB，其性能符合接收机系统要求。
黄爱波何伟周进田亮陈磊赖宗声
关键词：锁相环电荷泵杂散
单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计
2010年
设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。
何伟徐萍张润曦张勇李彬陈子晏马和良赖宗声
关键词：互补金属氧化物半导体电感电容压控振荡器超高频射频识别
433MHz ASK接收机中低噪声锁相环的设计
2010年
采用0.18μm CMOS RF工艺,实现了一款用于433 MHz ASK接收机的低噪声锁相环。系统采用优化的电源组合和合理的版图布局避免模块间的噪声干扰;VCO模块运用LC滤波器、LDO调压器,结合开关电容阵列调谐技术,提高相位噪声性能;针对鉴频鉴相器和电荷泵的非线性问题进行详细讨论和优化,提高了线性度。测试结果表明,电源电压为3.3 V时,偏置电流为7 mA,中心频率为433 MHz,在频偏100 kHz和1 MHz处,相位噪声分别-为96.47 dBc/Hz和-126.96 dBc/Hz。
许帅何伟张润曦马聪赖宗声
关键词：CMOS接收机锁相环相位噪声
便携式UHF RFID阅读器中发射前端电路设计被引量：1
2010年
采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHFRFID阅读器的射频发射前端电路。所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可调有效地预放大混频器的输出信号。在1.8V的电源电压下,测得阅读器前端电路的主要性能参数如下:上混频器的输入端P1dB,达到-14.9dBVrms,转换增益和噪声系数分别为3.18dB和13.20dB;驱动放大器的输出端P1dB在50Ω阻抗上达到3.5dBm,转换增益可调范围和噪声系数变化范围,分别为7.90～16.30dB和3.10～5.00dB。
徐萍何伟张润曦马和良赖宗声
关键词：驱动放大器射频识别超高频
UHF RFID阅读器中低噪声Σ小数频率综合器的设计被引量：1
2010年
采用0.18μmRF CMOS工艺结合EPC C1G2协议和ETSI规范要求,实现了一种应用于CMOS超高频射频识别阅读器中的低噪声ΔΣ小数频率综合器。基于三位三阶误差反馈型ΔΣ解调器,采用系数重配技术,有效提高频率综合器中频段噪声性能;关键电路VCO的设计过程中采用低压差调压器技术为VCO提供稳定偏压,提高了VCO相位噪声性能。多电源供电模式下全芯片偏置电流为9.6mA,测得在中心频率频偏200kHz、1MHz处,相处噪声分别为-108dBc/Hz和-129.8dBc/Hz。
何伟徐萍张润曦石春琦张勇陈子晏赖宗声
关键词：超高频射频识别相位噪声频率综合器调制器
433MHz ASK接收机射频前端电路设计
2010年
设计了一款应用在433MHz ASK接收机中的射频前端电路。在考虑了封装以及ESD保护电路的寄生效应的同时,从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论了低噪声放大器和下混频器的电路设计。采用0.18μm CMOS工艺,在1.8V的电源电压下射频前端电路消耗电流10.09 mA。主要的测试结果如下:低噪声放大器的噪声系数、增益、输入P1dB压缩点分别为1.35 dB、17.43 dB、-8.90dBm;下混频器的噪声系数、电压增益、输入P1dB压缩点分别为7.57dB、10.35dB、-4.83dBm。
徐萍何伟张润曦赖宗声
关键词：射频前端低噪声放大器接收机超高频
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