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姜浩楠

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：安徽工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇光电
  • 4篇光电导开关
  • 3篇导电类型
  • 3篇导体
  • 3篇多层结构
  • 3篇碳化硅
  • 3篇禁带
  • 3篇宽禁带
  • 3篇宽禁带半导体
  • 3篇击穿电压
  • 3篇半导体
  • 1篇电路
  • 1篇开关特性
  • 1篇夹紧
  • 1篇夹紧机构
  • 1篇光导
  • 1篇光导开关
  • 1篇半绝缘
  • 1篇本征
  • 1篇6H-SIC

机构

  • 5篇安徽工业大学

作者

  • 5篇周郁明
  • 5篇姜浩楠

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法
本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所...
周郁明姜浩楠
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新型多层结构碳化硅光电导开关
本实用新型公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所述衬底的...
周郁明姜浩楠
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一种超高压光电导开关测试装置
本实用新型公开了一种超高压光电导开关测试装置，属于半导体器件测试技术领域。其包括测试平台和测试电路，所述的测试平台包括万向轮、箱体工作台和夹紧机构；所述的万向轮安装于箱体工作台的底部，所述的夹紧机构设置于箱体工作台的顶部...
周郁明姜浩楠
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外延层厚度对垂直结构6H-SiC光导开关特性影响的研究(英文)
2013年
设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关。首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n+外延层,并将此侧定义为开关的阴极。利用二维半导体器件仿真软件,研究了n+外延层厚度对6H-SiC光导开关特性的影响。结果表明,增加外延层厚度可以提高开关的击穿电压;而开关的导通电流,首先随着n+外延层厚度的增加而减小,在n+外延层厚度为5μm达到最小值,随后随着厚度的增加,导通电流增加。
周郁明姜浩楠
关键词：半绝缘光导开关击穿电压
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法
本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所...
周郁明姜浩楠
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