您的位置: 专家智库 > >

谢爱根

作品数:49 被引量:96H指数:6
供职机构:南京信息工程大学物理与光电工程学院更多>>
发文基金:南京信息工程大学科研基金国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学一般工业技术核科学技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 23篇理学
  • 8篇一般工业技术
  • 5篇核科学技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 17篇金属
  • 9篇合金
  • 7篇复合材料
  • 7篇复合材
  • 5篇电子枪
  • 5篇镁合金
  • 5篇高能
  • 4篇阻尼
  • 4篇微波电子枪
  • 4篇金属基
  • 4篇金属基复合
  • 4篇金属基复合材...
  • 4篇二次电子
  • 3篇振动环境
  • 3篇入射
  • 3篇入射角
  • 3篇入射能
  • 3篇入射能量
  • 3篇射程
  • 3篇锌合金

机构

  • 39篇南京信息工程...
  • 16篇中国科学技术...
  • 1篇南京工业大学
  • 1篇中国科学院等...

作者

  • 49篇谢爱根
  • 20篇赵浩峰
  • 17篇王玲
  • 14篇裴元吉
  • 10篇吴红艳
  • 9篇李庆芳
  • 8篇孙红兵
  • 8篇王荣
  • 6篇姚义俊
  • 6篇王铁邦
  • 6篇李传起
  • 5篇刘斌
  • 5篇郭胜利
  • 4篇雷勇
  • 4篇黄廷立
  • 3篇张成义
  • 3篇宋标
  • 3篇张健
  • 3篇谈馨璇
  • 2篇姚以俊

传媒

  • 9篇强激光与粒子...
  • 4篇安徽大学学报...
  • 3篇高能物理与核...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇轻合金加工技...
  • 1篇物理通报
  • 1篇科学通报
  • 1篇空间科学学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇轻金属
  • 1篇集成电路通讯
  • 1篇南京气象学院...
  • 1篇铸造工程
  • 1篇中国科教创新...
  • 1篇科教导刊
  • 1篇第三届全国加...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 6篇2010
  • 8篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2000
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计
2007年
根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.
谢爱根李传起郭胜利裴元吉
关键词:砷化镓负电子亲和势
铝的高能二次电子发射系数的表达式
2008年
根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,推导出高能原电子能量的三分之二次幂与铝的有效真二次电子发射系数的关系式.根据高能原电子的有效真二次电子发射系数与二次电子发射系数的关系,推导出高能原电子的能量的三分之二次幂与铝的二次电子发射系数之积为一常数,并用实验数据计算出该常数,然后推导了铝的高能二次电子发射系数表达式.用推导出的表达式计算出一些铝的高能二次电子发射系数计算值,与现有实验值较好地相符.
谢爱根李传起宋标裴元吉
关键词:二次电子高能
多晶体二次电子的角度分布被引量:2
2011年
根据二次电子发射的主要物理过程,推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时,推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角度分布公式,该公式表明多晶的二次电子遵循余弦分布,且与原电子的入射角无关。分析结果表明:在内二次电子最大逸出深度范围内,如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数是常数,则多晶的二次电子的角度分布遵循余弦分布;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数越来越少,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更慢;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子越来越多,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更快。
谢爱根张健吴红艳王铁邦
关键词:二次电子高能电子多晶
LD端面抽运1KHz电光调Q Nd∶YVO_4激光器输出功率特性研究被引量:1
2009年
报道了全固态激光器连续抽运高重复率电光调QNd∶YVO4激光器的实验和理论分析结果,用BBO晶体作电光调Q元件,在激光二极管(LD)端面抽运Nd∶YVO4激光器中实现了较高重复率的电光调Q输出.实验中在1kHz重复率下,抽运功率为10W时,平均功率超过170mW.对输出功率曲线中的凹陷现象进行了分析,指出了制约激光器的内在诸因素,并用传播圆-变换圆图解分析方法给出了合理的解释.
宋标李传起谢爱根王铁邦
关键词:激光器LD端面抽运电光调Q高重复率
绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制被引量:5
2007年
成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35mm,偏置电压设置为45V。测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于2~26范围内,其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。
谢爱根郭胜利李传起裴元吉
关键词:绝缘体氧化镁
一种阻尼耐磨锌合金材料及其制备方法
本发明公开了一种阻尼耐磨锌合金材料及其制备方法,该材料以锌合金为基体,在基体中分布着钢丝团和碳纤维;所述钢丝团直径为10~15cm,所用钢丝截面为矩形,截面规格为0.1~0.4mm×0.5~1.5mm;所述钢丝和碳纤维的...
王玲赵浩峰谢爱根
皮秒量级电子脉冲宽度测量方法被引量:2
2005年
提出了一种测量皮秒量级电子脉冲宽度的新方法;并且在二次发射微波电子枪前期研究结果的基础上利用MAFIA等数值模拟程序建立起该测量方法的数值模型进行数值分析,讨论了其可行性;并根据本实验室现有条件给出了测量方法的最小分辨,说明了测量方法的可行性.
王荣裴元吉谢爱根孙红兵
关键词:传输矩阵微波电子枪测量方法脉冲宽度皮秒
用麦克斯韦速度分布律探讨粒子的速度分布函数
2015年
本文叙述了麦克斯韦速度分布律的适用范围,用麦克斯韦速度分布律分别探讨了气体分子的三维、二维和一维运动时的速度分布函数,并讨论了等离子体的带电粒子在均匀磁场中的速度分布函数。文章拓展了学生对麦克斯韦速度分布律的理解,有利于培养学生用课本知识解决实际问题的能力。
陈丽珠谢爱根
关键词:麦克斯韦速度分布律气体分子带电粒子
用类比法引入电磁能量
2014年
在大学物理教学中,通过类比法定义电容与电感系数,基于电势差与功之间的关系引入电场能量和磁场能量的表示,从而给出静电场与静磁场能量密度的表达式.
张成义谢爱根陈云云
关键词:磁场能量电容电感电磁场
提高砷化镓二次电子发射系数的探讨被引量:1
2005年
介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。
谢爱根裴元吉王荣孙红兵
关键词:负电子亲和势
共5页<12345>
聚类工具0