庄四祥
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
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- 大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
- 2009年
- 对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利用文中结构测得比接触电阻早期快速失效,且随电流密度增加退化加剧,对样品老化前后进行能谱分析得知,大电流密度下接触层中Al离子发生了扩散从而破坏了良好接触。
- 张跃宗冯士维郭春生张光沉庄四祥苏蓉白云霞吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触比接触电阻
- 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
- 2007年
- 分析了影响探测器响应度的各因素，在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计，以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示，器件的光谱响应范围为1000-1600nm，在1500nm激光的辐照下，5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。
- 王承栋杨集冯士维张跃宗庄四祥张弓长
- 关键词：探测器光响应度
- 微型红外光谱仪中探测器阵列及接收系统的研究
- 作为一种典型微型光机电系统——微型光谱仪器，具有许多大型光谱仪器所不具备的优点，并有着广泛的应用范围。因此，微型光谱仪器的研制已成为微型光机电系统的一个重要研究热点。同时，为了实现微型光谱仪器的实用化，有必要研制与之相配...
- 庄四祥
- 关键词：探测器阵列单片机系统信号显示
- 文献传递
- 直下式LED背光TV色域的研究被引量：2
- 2014年
- 分析了影响直下式LED背光TV色域的各种因素,研究了光学材料与液晶面板对白光色度坐标的影响,结果表明光学材料、液晶面板对白光色坐标的平均偏差值分别为(-0.0285,0.0270)、(0.0139,0.0015);研究了光学材料、LED光源以及液晶面板对TV色域的影响,结果表明:(1)不同厂家光学材料色域差距仅为0.2%;(2)不同液晶面板贴合相同的LED背光,色域相差22.8%;(3)从白光两波段LED到三波段LED再到RGB LED的背光,色域依次从75.3%、84.2%、104.5%。因此,要实现特定的色彩,需综合考虑每个部分对白光色度坐标的影响;另外,要获得高的色域范围,需选取与液晶面板相对应的LED光源。
- 张跃宗李春霞王瑞春庄四祥胡宏生
- 关键词：LED背光
- 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
- 分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了 InGaAs/InP PIN 探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和 p-InP 区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用 MOCVD 技术和闭管扩散等工...
- 王承栋杨集冯士维张跃宗庄四祥张弓长
- 关键词：探测器光响应度
- 文献传递
- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55μm处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1μm处。另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考。
- 庄四祥冯士维王承栋白云霞苏蓉孟海杰
- 关键词：探测器光响应度INGAAS/INP结深
