张洪岩
- 作品数：7 被引量：17H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 冶金级硅水热酸洗提纯研究
- 2013年
- 研究了正交试验和水热反应釜在酸洗提纯冶金级硅(工业硅)中的应用,结果表明,根据杂质在工业硅中的分布规律设计、实施工业硅中金属杂质的去除试验,方法可行,钙、铝、钛、铁杂质的相对去除率分别达到71.85%,80.68%,91.52%和95.21%。
- 李进高忙忙贾菲杨翠张洪岩
- 关键词：酸洗正交试验
- 制备直径为400mm以上的单晶硅的方法
- 一种制备直径为400mm以上的单晶硅的方法，该方法采用通过直拉法制造单晶硅，该方法包括如下步骤：装料和熔化；引晶；缩颈；放肩；等径生长：石英坩埚和晶体相互反方向旋转，根据熔体和单晶炉的状况，控制晶体等径生产所需长度，其中...
- 高忙忙李进张洪岩梁森李海波李国龙薛子文何力军
- 文献传递
- 导流筒对200mm直拉单晶硅氧含量的影响研究被引量：3
- 2013年
- 获得高品质、低成本的直拉单晶硅是太阳能发电技术大面积推广应用的关键基础之一。本文采用有限元ANSYS软件模拟直拉单晶硅中液口距(导流筒下沿与液面距离,DSM)和器盖距(导流筒伸入加热器的距离,DSH)对单晶炉内气体流场和热场分布的影响。结果表明,随液口距的减小,气流对熔体液面上方的吹拂能力逐渐加强,有利于SiO的挥发;当液口距小于15 mm时,气流对熔体液面产生了扰动,不利于氧含量的降低。随器盖距的增加,一方面,熔体内轴向温度梯度逐渐减小,降低了坩埚底部的温度;另一方面,坩埚侧壁的温度也逐渐降低,特别是坩埚侧壁与坩埚底部结合处温度的降低,可以减少融入熔体中的氧。最终,将数值模拟的结果应用至拉晶生产中,获得了氧含量为1.10×1018atoms/cm3的大直径(200 mm)太阳能级单晶硅,并使单炉拉晶时间比未优化前缩短了12.7 h。
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- 关键词：氧含量温度梯度
- 勾型磁场条件下400mm大直径直拉单晶硅生产工艺的研究
- 单晶硅是最重要的半导体材料，特别是随着电子信息产业和太阳能发电技术的大面积推广，对单晶硅材料的需求非常大，同时单晶硅的品质及其尺寸的要求也随之提高。一般来说，杂质是影响单晶硅性能的主要因素，氧是其中最主要的杂质之一，因此...
- 张洪岩
- 关键词：单晶硅固液界面生产工艺
- 氩气流速对400mm大直径磁场直拉单晶硅固液界面、热应力及氧含量的影响被引量：14
- 2014年
- 大直径化是太阳能光伏用单晶硅发展的趋势之一。由于炉体结构的增大，炉内气体流场的变化对晶硅生长过程产生了一定的影响。本文采用CGSim晶体生长软件，系统分析了氩气进口流速对固液界面，热应力和晶体氧含量的影响。结果表明，随氩气流速的增加，固液界面高度逐渐下降，当氩气流速为中等范围时，固液界面波动最低，有利于提高拉晶过程的稳定性；另一方面，三相交界处热应力最大值随氩气流速的增加而降低，固液界面热应力波动幅度随氩气流速的增加而增加，综合两方面考虑，确定采用中等氩气流速（0．9—1．5m·s-1）工艺可有效避免断晶等缺陷的发生。同时，在中等氩气流速范围内，晶体中心处的氧含量下降至6．55×10^17m／cm3（氩气流速为1．5m·s-1时），与低氩气流速时相比，氧含量降低了18％。
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- 关键词：单晶硅固液界面氧含量
- 提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法
- 一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法，该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中，该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤：将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm...
- 李进高忙忙薛子文李海波李国龙梁森张洪岩何力军
- 文献传递
- 制备直径为400mm以上的单晶硅的方法
- 一种制备直径为400mm以上的单晶硅的方法，该方法采用通过直拉法制造单晶硅，该方法包括如下步骤：装料和熔化；引晶；缩颈；放肩；等径生长：石英坩埚和晶体相互反方向旋转，根据熔体和单晶炉的状况，控制晶体等径生产所需长度，其中...
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- 文献传递
