薄素玲
- 作品数：8 被引量：55H指数：4
- 供职机构：内蒙古师范大学化学与环境科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金内蒙古师范大学科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 稀土Eu^3＋掺杂纳米TiO2-SiO2发光材料的制备和发光性质的研究被引量：14
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法制备了稀土Eu3+掺杂于不同比例的纳米TiO2—SiO2复合体系,研究了基质中钛、硅摩尔配比对发光性能的影响。样品的FTIR谱图显示:纳米复合氧化物SiO2—TiO2之间发生了键合作用,形成了Ti—O—Si键;TEM显示样品的颗粒大小约为35 nm,是具有一定的单分散性的球形颗粒;XRD和SAED结果表明,样品退火至700℃后仍为单一的锐钛矿相,这说明微量硅的加入对二氧化钛的锐钛矿相有热稳定的作用。当微量的Si4+进入TiO2的晶格,取代部分Ti4+的位置时,形成了结构等电子陷阱。通过对样品的激发光谱、发射光谱分析,发现这种结构有利于将基质吸收的能量传递到发光中心,使Eu3+的465nm处7F0→5D2激发效率最高,成为最灵敏的激发线。
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- 关键词：溶胶-凝胶法发光性能
- Eu^(3+)与V共掺杂SiO_2材料的制备及其发光性质被引量：2
- 2009年
- 利用溶胶-凝胶技术制备Eu3+、V共掺杂的SiO2材料,通过差热-热重分析、傅立叶红外光谱、X射线衍射、激发光谱与发射光谱等测试手段对粉末的晶型、结构、发光性质进行研究.结果表明:材料属于非晶态,800℃退火后Eu3+、V共掺杂的SiO2样品的结构基本稳定,只存在SiO2的网状结构;激发光谱显示,Eu-O电荷迁移带随着V掺杂量的增加而消失,产生强度较大的320 nm处的7F0→5H3跃迁;发射光谱显示,随着V的掺入,最佳激发波长由393 nm向320 nm转移,同时出现了467 nm,577 nm,588 nm,612 nm处的发射峰,它们分别归属于Eu3+的5D2→7F0跃迁与VO43-的蓝色发射的叠加跃迁、Eu3+的5D0→7F0跃迁5、D0→7F1磁偶极跃迁和5D0→7F2的电偶极跃迁,实现了同一物质同时产生蓝色荧光和红色荧光.同时发现,VO43-对Eu3+的发光有较好的敏化作用,并通过所得的能级图对样品的跃迁机理进行了分析.
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- 关键词：溶胶-凝胶技术发光性质
- CaMoO4∶Tb^3＋发光材料的制备和发光性质的研究被引量：9
- 2010年
- 用共沉淀法制备了样品CaMoO_4:Tb^(3+)的前驱物,经TG-DTA测试表明:样品在850℃时有能量吸收峰,即达到样品反应的活化点。XRD谱图分析显示,焙烧后样品CaMoO_4:Tb^(3+)为CaMoO_4的白钨矿结构,但峰位发生了右移,说明晶体内部产生了微小的晶体缺陷,推测该缺陷可能是由晶胞内2个Tb^(3+)取代了3个Ca^(2+)形成空穴而引发的。通过对激发谱图的测试发现,此种缺陷结构有利于使MoO_4^(2-)发射特征峰(488 nm)的能量有效地传递给Tb^(3+),使Tb^(3+)的4f电子发生跃迁,特别使Tb^(3+)的~7F_6→~5D_4(488 nm)电子跃迁大大加强,因而在样品CaMoO_4:Tb^(3+)的发射谱图(λ_(ex)=488 nm)中,自激活荧光体MoO_4^(2-)的发射强度被大大减弱,而Tb^(3+)的~5D_4→~7F_5(544 nm)跃迁的绿光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。
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- 关键词：TB^3+发光性质
- 稀土离子Eu、Tb掺杂的以CaMoO<,4>和SiO<,2>一元或二元体系为基质的发光材料的制备与发光性质研究
- 本论文首先采用共沉淀法和高温焙烧法制备了CaMoO4:RE(RE=Eu3+，Tb3+或Eu3+和Tb3+共掺)。通过TG-DTA分析的测试发现，CaMoO4:RE(RE=Eu3+，Tb3+或Eu3+和Tb3+共掺)样品材...
- 薄素玲
- 关键词：沉淀法溶胶-凝胶法发光材料稀土离子
- 文献传递
- Eu^(3+)、Ga^(3+)共掺杂SiO_2基质材料的制备及其发光性质被引量：12
- 2008年
- 通过溶胶-凝胶方法制备了稀土离子Eu3+和Ga3+共掺杂的SiO2材料;利用IR、XRD等研究了材料的结构,结果表明材料属于非晶态,800℃退火后样品的主要结构仍为SiO2的网状结构。400℃退火的样品在393nm激发下发射光谱显示了Eu3+的特征发射光谱,产生3条明显谱带,分别是576nm(5D0-7F0),588nm(5D0-7F1),612nm(5D0-7F2)。588nm(5D0-7F1)处的跃迁在800℃退火后发生猝灭,这是因为发光中心Eu3+的化学环境由于掺入Ga3+离子而发生了改变。Ga3+的共掺杂使材料在460nm处发射较强蓝光,在同一材料中实现了蓝色和红色的共发射。材料在460nm处蓝色荧光的强度随激发波长的增大而先增强后减弱。Ga3+或Eu3+的掺入量不同时,除发射强度不同外,材料的发射谱图基本相同。通过实验还确定800℃的退火温度为最佳退火温度。
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- 关键词：溶胶-凝胶方法发光性质
- Tb^(3+)和Ga^(3+)共掺杂的SiO_2发光材料的制备、表征及发光性质的研究被引量：2
- 2008年
- 通过溶胶-凝胶法制备了Tb3+、Ga3+共掺杂的Si O2发光材料,利用红外光谱、X射线衍射仪对其结构进行表征,通过三维、激发光谱和发射光谱对其发光性质进行分析.结果表明:经过700℃退火处理后的材料,其红外光谱只显示O-Si-O键的存在,表明水和有机物已完全除去;用544 nm作为监测波长测得的激发光谱符合三价稀土离子的激发规律;在230 nm光激发下得到4条Tb3+的特征发射谱带,分别是467 nm(5D3-7F6),492 nm(5D4-7F6),544 nm(5D4-7F5),583 nm(5D4-7F4),且来自5D3的跃迁在高温时由于交叉弛豫而猝灭;只掺杂Ga3+的材料在460 nm处发出强烈蓝光,Tb3+、Ga3+共掺杂Si O2材料在460 nm处蓝光急剧减弱,而对发光中心Tb3+544 nm处的5D4-7F5跃迁和492 nm处的5D4-7F6跃迁均有促进作用.此外,还分别研究了不同Ga3+或Tb3+的掺入量、退火温度对材料发光性质的影响.
- 王喜贵于振友娜米拉薄素玲
- 关键词：溶胶-凝胶技术发光性质
- CaMoO_4∶Eu^(3+)发光材料的制备和发光性质的研究被引量：19
- 2009年
- 用共沉淀法与高温焙烧法制备了样品CaMoO4∶Eu3+。TG-DTA谱图表明:800℃时,样品吸收的能量最大,即形成稳定的CaMoO4∶Eu3+结构。用XRD谱图进一步分析表明:800℃时,样品CaMoO4∶Eu3+已形成CaMoO4的白钨矿结构。由于2个Eu3+取代3个Ca2+,导致了晶体产生微小的晶体缺陷,从而形成具有p-n结的半导体。经过激发和发射谱图的测试发现:这种缺陷结构不但可以使Eu3+禁戒的4f电子发生跃迁,而且可以使MoO42-的能量高效地传递给Eu3+,尤其使与MoO42-的发射特征峰(488nm)部分重叠的Eu3+(465nm)的7F0→5D2电子跃迁得到了极大的加强,进而在λex=465nm的发射谱图中,自激活荧光体MoO42-的发射强度被大大减弱甚至猝灭,而Eu3+的5D0→7F2(612nm)跃迁的红光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。
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- 关键词：发光性质
- 以单分散纳米二氧化硅颗粒为基质稀土掺杂Tb^(3+)的发光材料的制备与性质研究被引量：4
- 2009年
- 通过Stober溶胶-凝胶法合成了大小约为80~100 nm的纳米二氧化硅微球及Tb3+掺杂的单分散纳米二氧化硅微球,利用IR、SEM对样品的结构、形貌进行表征.结果表明,经过600℃退火处理后的材料,其红外光谱显示样品中只存在Si-O-Si的网状结构,其他有机物基本被除净;SEM显示样品为球形颗粒,具有一定的分散性,并达到了纳米级.用激发光谱、发射光谱及三维光谱对样品的发光性质进行分析,样品能够发射出Tb3+的特征发射峰,分别是469 nm(5D3-7F3)、488 nm(5D4-7F6)、544 nm(5D4-7F5)、584 nm(5D4-7F4)跃迁发射.与体相材料相比,虽然纳米发光材料由于表面效应产生的表面缺陷影响了Tb3+的发光效率,但稀土离子掺杂量的猝灭浓度界限得到了提高,且通过该方法合成的样品粒度较均匀,团聚性小,无需研磨,化学性质稳定,透明性好.这些性质有望使该材料成为有潜在应用价值的发光材料.
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- 关键词：单分散纳米SIO2溶胶-凝胶法发光性质
