魏莹
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基锗PIN红外探测器的数值模拟研究
- 2009年
- 本文基于漂移扩散模型,对硅基锗PIN红外探测器的电流特性随应变、Ge吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了一种器件优化设计方案。研究结果表明,当Ge应变从0增加到0.3%时,器件的暗电流增大了约50%;当Ge吸收层厚度从1μm增加到4μm时,器件的暗电流降低了近80%,量子效率增大了近1倍;当吸收层的掺杂浓度由1×10^(14)cm^(-3)增大2个量级时,器件的光电流降低了近60%。综合考虑吸收层厚度对器件量子效率和暗电流的影响以及吸收层掺杂浓度对光电流的影响,对硅基锗PIN红外探测器的外延锗吸收层进行了设计:外延生长厚度为4μm,掺杂浓度为1×10^(14)cm^(-3),以期能为提高器件性能和制备实际器件提供良好的依据。
- 徐敏杰魏莹蔡雪原杨建红
- 关键词：红外探测器PIN硅锗暗电流
- 铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性
- 2008年
- 针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0～±59μC/cm2)变化时有4～6个数量级的提高或降低;当Vg=0.65V、PS为-26～26μC/cm2时,nS提高约4个数量级;负栅压下,nS因受引起电子耗尽的PS的影响而降低6～7个数量级,而PS未对Id-Vg产生明显影响,跨导gm在1V左右的栅偏压下达到最大值。这些结果对利用铁电极化和退极化可能改善新型器件性能的研究具有重要意义。
- 蔡雪原冉金枝魏莹杨建红
- 关键词：自发极化铁电材料载流子浓度跨导
