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陶利友

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇探测器
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇量子效率
  • 2篇接触电极
  • 2篇刻蚀
  • 2篇PIN探测器
  • 1篇日盲
  • 1篇位错
  • 1篇光生
  • 1篇光生电压
  • 1篇PIN
  • 1篇ALGAN

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 3篇刘福浩
  • 3篇李向阳
  • 3篇陶利友
  • 2篇刘诗嘉
  • 2篇许金通
  • 2篇孙晓宇
  • 2篇王荣阳
  • 2篇刘秀娟
  • 1篇张燕

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
日盲型AlGaN pin串联紫外探测器
2013年
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应在278nm为0.03A/W。串联器件的正向开启电压随器件个数增加而增大,串联特性使得其暗电流较小,光生电压随器件个数的增加呈线性变化,串联器件在氙灯照射下能达到近15V的光生电压。文中还对I-V测试采样中存在的零点漂移做了分析,试给出从实验结果计算反向饱和电流密度的方法。
陶利友张燕刘福浩李向阳
关键词：紫外探测器光生电压ALGAN
基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器
本实用新型公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n<Sup>+</Sup...
刘福浩许金通李向阳王荣阳刘秀娟陶利友刘诗嘉孙晓宇
文献传递
基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法
本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n<Su...
刘福浩许金通李向阳王荣阳刘秀娟陶利友刘诗嘉孙晓宇
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