颜骏
- 作品数：8 被引量：16H指数：2
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- OLED显示器的像素驱动电路及其驱动方法
- 本发明公开了OLED显示器的像素驱动电路及其驱动方法，该像素电路包括驱动晶体管，两个开关晶体管，耦合电容，存储电容和有机发光二极管。其中第一开关晶体管的漏极接数据线，栅极接第一扫描控制线，源极接耦合电容的B端，第二开关晶...
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- 文献传递
- 全N型TFT ESD瞬态检测电路的设计被引量：2
- 2012年
- 为适应有源发光二极管显示(AMOLED)以及有源液晶显示(AMLCD)技术的发展,使用三级反向器反馈结构设计了一种全N型的TFT静电放电(ESD)瞬态检测电路,并采用对比仿真研究的方式分析该电路的性能优劣.结果显示:反馈器件一方面可以提高各功能器件的转换速度,以保证箝位器件能够及时打开与关闭,避免因长时间流过大电流而引起箝位器件失效;另一方面可以控制箝位器件栅极电压的保持时间,从而满足不同电路的需求;三级反向器可以稳定箝位器件的栅极电压波形,有利于电路功能的更好实现.该设计满足基本ESD检测电路的相关参数要求,并且提高了电路的总体性能.
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- 具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法
- 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的...
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- 氧化锌基TFT稳定性研究进展
- 2011年
- 总结了氧化锌基TFT稳定性的最新研究进展,分析了栅偏压、栅绝缘层和背沟道影响TFT稳定性,尤其是阈值电压稳定性的主导机制。结果表明,氧化锌基TFT的不稳定性主要取决于陷阱缺陷态对可动载流子的俘获作用,以及新陷阱态的产生。总结了提高氧化锌基TFT稳定性的三种途径:降低栅偏压;提高沟道/栅绝缘层界面质量,降低缺陷态密度;钝化保护背沟道。
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- 关键词：氧化锌薄膜晶体管显示器件
- 有机太阳电池数值模拟
- 过去的几十年里,环境和能源问题给人类长久生存制造了很大的困难。作为宇宙中最大的能量来源,太阳能必须要被充分利用以帮助人类在不久的将来实现可持续发展。基于无机硅材料的光伏器件在理论和实践上都已经得到了很好的发展,其单结器件...
- 颜骏
- 关键词：器件物理漂移扩散模型迁移率填充因子
- 一种全N型TFT ESD瞬态检测电路的设计
- 为适应有源发光二极管显示(AMOLED)以及有源液晶显示(AMLCD)的技术发展，设计了一种全N型的TFT静电放电(ESD)瞬态检测电路，该电路使用三级反向器反馈结构。采用对比仿真研究的方式分析该电路的性能优劣，结果显示...
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- 关键词：静电放电
- IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较被引量：14
- 2011年
- 分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。
- 吴为敬颜骏许志平赖志成
- 关键词：性能比较光电特性阈值电压漂移
- 具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法
- 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的...
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- 文献传递
