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张玮

作品数：8 被引量：23H指数：4
供职机构：武汉工程大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 3篇等离子体化学...
  • 3篇微波等离子体
  • 3篇金刚石
  • 3篇刚石
  • 2篇等离子
  • 2篇真空系统
  • 2篇气相沉积
  • 2篇微波等离子体...
  • 2篇微波系统
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇供气
  • 2篇供气系统
  • 2篇MPCVD
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶金刚石
  • 1篇等离子体
  • 1篇石墨

机构

  • 8篇武汉工程大学
  • 4篇中国科学院宁...

作者

  • 8篇张玮
  • 7篇满卫东
  • 4篇吕继磊
  • 3篇江南
  • 3篇游志恒
  • 3篇涂昕
  • 2篇汪建华
  • 1篇赵彦君

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇硬质合金
  • 1篇真空与低温

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
MPCVD法合成大单晶金刚石的研究进展被引量：4
2013年
单晶金刚石具有诸多多晶金刚石所无法替代的优良性能,是新世纪高端技术领域发展所需的重要材料。随着技术的不断改进,MPCVD法合成单晶金刚石的生长速率、质量和尺寸都有了很大的提高。目前,应用最新的MPCVD技术合成的单晶金刚石,其最高生长速率达到200μm/h,合成尺寸达到英寸级,为单晶金刚石在超精密加工、光学元器件、半导体、探测器等高技术领域的应用提供了有力的支撑。本文主要综述了进入二十一世纪以来,MPCVD单晶金刚石的研究进展,并对其应用作简单的介绍。
林晓棋满卫东张玮吕继磊江南
关键词：MPCVD金刚石单晶LIFT-OFF马赛克
衬底位置对制备(100)面金刚石薄膜的影响被引量：3
2013年
本文利用5 kW微波等离子体装置,在直径22 mm的石英上沉积金刚石薄膜。实验研究了衬底在不同位置对沉积金刚石薄膜的质量产生的影响。实验中将2块石英衬底编号为A和B,样品A被放在偏离钼基片台中心5 mm的位置,使石英的中间区域偏离等离子体球,而边缘区域处于等离子体球的下方。通过SEM和拉曼光谱表征所沉积的金刚石膜,对比样品A的中间和边缘区域发现中间的区域金刚石膜的质量差且不均匀,边缘区域则长出取向一致的(100)面金刚石。通过分析认为,较高的温度、大的等离子体密、合适的碳源浓度度等条件有利于(100)面金刚石薄膜的沉积。随后改进工艺,将样品B放在基片台中心使其处于等离子体的正下方,并调整生长温度和甲烷浓度,成功的获得了高质量均匀的(100)面金刚石薄膜。
张玮满卫东林晓棋游志恒吕继磊江南
关键词：微波等离子体
一种制备金刚石膜的装置及使用该装置制备金刚石膜的方法
本发明提供一种制备金刚石膜的装置，其采用微波等离子体化学气相沉积装置，该装置包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子反应室，等离子反应室中设有一自旋转基片台，工作过程中微波系统产生的微波进入等离子反应室，在自旋转基片台上...
满卫东汪建华游志恒涂昕张玮林晓棋阳硕
文献传递
衬底对CVD生长石墨烯的影响研究被引量：8
2013年
石墨烯有独特的结构和优异的性能,在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景。为了更好的应用这种新型材料,如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难。相比与机械剥离法、化学氧化还原法和碳化硅表面外延生长法,化学气相沉积法(CVD)因其可以生长大面积高质量连续石墨烯膜而倍受关注。基于石墨烯的生长机理,从衬底材料的角度,综述了近几年衬底对CVD生长石墨烯的影响的研究进展。展望了衬底选择的发展新趋势。
张玮满卫东涂昕林晓棋
关键词：石墨烯化学气相沉积衬底
CVD金刚石涂层用于海洋密封材料的制备与应用
化学气相沉积（Chemical vapor deposition，CVD）金刚石薄膜有着优异特性，例如高硬度、弹性模量大、耐磨性强以及稳定的表面化学性等等，是目前研究较为热门的材料之一。目前金刚石薄膜被广泛应用在切屑刀具...
张玮
关键词：金刚石涂层化学气相沉积放电等离子体
文献传递
Ar对微波等离子体CVD单晶金刚石生长的影响被引量：4
2015年
采用自主研发的5 k W不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响。通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行分析。结果表明,适量Ar的存在能够显著提高单晶金刚石的生长速度,并且不损害金刚石的晶体质量。当Ar/H2=30%时,生长速度最高,为35μm/h。随着Ar/H2比例的进一步增加,单晶金刚石的结晶质量会有所下降,Ar/H2比例过高则会严重破坏单晶金刚石的生长。
林晓棋满卫东吕继磊张玮江南
关键词：MPCVD单晶金刚石AR
碳化硅陶瓷密封材料上沉积复合金刚石薄膜被引量：4
2015年
利用直流辉光等离子体化学气相沉积（DC-GD CVD）设备在碳化硅（SiC）密封材料上沉积复合金刚石薄膜（ICD）。实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜（MCD）,然后再沉积一层纳米金刚石薄膜（NCD）形成复合金刚石薄膜（ICD）。通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构。各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能。结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低。ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.08~0.1。
张玮满卫东林晓棋吕继磊阳硕赵彦君
关键词：碳化硅金刚石薄膜等离子体化学气相沉积
一种制备金刚石膜的装置及使用该装置制备金刚石膜的方法
本发明提供一种制备金刚石膜的装置，其采用微波等离子体化学气相沉积装置，该装置包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子反应室，等离子反应室中设有一自旋转基片台，工作过程中微波系统产生的微波进入等离子反应室，在自旋转基片台上...
满卫东汪建华游志恒涂昕张玮林晓棋阳硕
文献传递
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