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曹玉生

作品数：7 被引量：20H指数：3
供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇倒装焊
  • 2篇植球
  • 2篇陶瓷封装
  • 2篇凸点
  • 2篇封装
  • 2篇CBGA
  • 2篇插入损耗
  • 1篇研磨
  • 1篇应力
  • 1篇应力分布
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元仿真
  • 1篇源地
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷外壳
  • 1篇平面度
  • 1篇转换器
  • 1篇阻抗
  • 1篇位置度
  • 1篇协同设计

机构

  • 6篇中国航天北京...
  • 3篇北京时代民芯...

作者

  • 7篇曹玉生
  • 6篇练滨浩
  • 5篇姚全斌
  • 4篇林鹏荣
  • 2篇赵元富
  • 2篇王勇
  • 1篇木瑞强
  • 1篇黄颖卓
  • 1篇朱国良
  • 1篇张洪硕
  • 1篇胡培峰
  • 1篇王德敬
  • 1篇刘军
  • 1篇吕晓瑞
  • 1篇姜学明
  • 1篇刘建松

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇电子技术应用
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇电子与封装

年份

  • 4篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
陶瓷外壳质量对CBGA植球工艺质量的影响
2012年
随着陶瓷球栅阵列(CBGA)封装形式的产品被广泛应用,对其产品植球工艺质量的可靠性和一致性的要求也越来越严格,对原材料特别是对陶瓷外壳质量的控制是影响CBGA植球工艺质量的重要因素之一。以CBGA256和CBGA500封装形式的电路产品为例,通过焊盘的共面性、位置度和陶瓷表面的平面度三个方面来研究陶瓷外壳的质量对CBGA植球工艺质量的影响。
黄颖卓林鹏荣练滨浩姚全斌曹玉生
关键词：陶瓷外壳位置度平面度
硅片减薄技术研究被引量：11
2010年
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,越来越多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能,降低功率器件的电阻。因此,硅片减薄的地位越来越重要。文章简要介绍了减薄的几种方法,并对两种不同研磨减薄技术的优缺点进行了对比。此外,从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所使用的保护膜等几方面进行了实验的验证,分析了不同参数对质量的影响效果。并根据减薄后的质量情况,使用统计方法,对减薄的过程进行了监控。
木瑞强刘军曹玉生
关键词：硅片研磨
3GHz高速ADC陶瓷封装的电学设计被引量：3
2014年
随着模数转换器(ADC)采样频率的提高,保证其电压采样精度成为封装设计中的难题。完成了一款采样频率为3 GHz的ADC陶瓷外壳的设计,根据设计规则及EDA软件仿真结果,确定ADC外壳的层叠结构及走线,使阻抗有较好的匹配性,降低信号反射;使用全波电磁场分析软件对不同材料、不同直径键合丝的传输特性进行了仿真,对关键信号放置在不同层情况下的插入损耗进行分析对比,选择符合工艺条件的最优方案。仿真结果表明该设计达到了3 GHz ADC的外壳设计要求,但实际测试结果与仿真结果有一定误差,测试用印刷电路板(PCB)的插入损耗可能是导致差异的一个重要原因。
张洪硕赵元富姚全斌曹玉生练滨浩朱国良
关键词：陶瓷封装传输特性插入损耗
2.5GS/s高速DAC陶瓷封装协同设计被引量：2
2017年
随着超大规模集成电路向着高密度、高频方向发展,保证高速信号的可靠传输成为封装电学设计中的关键。完成了一款转换速率为2.5 GS/s的14 bit DAC陶瓷外壳封装设计,利用芯片、封装和PCB的协同设计,保证了关键差分信号路径在2.5 GHz以内插入损耗始终大于-0.8 d B,满足了高速信号的传输要求;并结合系统为中心的协同设计和仿真,对从芯片bump到PCB的整个传输路径进行了仿真和优化,有效降低了信号的传输损耗和供电系统的电源地阻抗。
王德敬赵元富姚全斌曹玉生练滨浩胡培峰
关键词：高速DAC陶瓷封装插入损耗
Ni-B/Ni-P焊盘结构对CBGA植球焊点性能的影响
2017年
化学镀镍工艺因其无需掩膜、区域选择性好和非电镀等特点,被广泛应用于电子封装工业中的沉积工艺。研究了陶瓷球栅阵列(CBGA)封装中Ni-B/Ni-P焊盘镀层结构对焊点性能的影响。结果表明,高温老化过程中,焊点界面金属间化合物(IMC)厚度的增加与老化时间的平方根呈正比关系,Ni-P焊盘与Sn Pb之间形成的金属间化合物呈片状或块状,而Ni-B焊盘与Sn Pb焊料之间形成的金属间化合物呈鹅卵石状,Ni-B焊盘上焊点界面IMC更厚、生长速率更快。随着老化时间的增加,两种焊点剪切力均呈现先增大后减小的趋势,Ni-B焊盘上焊点剪切强度更高。
吕晓瑞林鹏荣姜学明练滨浩王勇曹玉生
关键词：焊点可靠性
高温存储下不同成分Sn-Pb凸点可靠性研究被引量：3
2017年
随着我国集成电路封装密度的不断提高,引线键合方式已无法满足需求,倒装焊技术逐渐成为高密度封装主流方向。高温存储对倒装焊凸点的可靠性有着重大影响,界面化合物及晶粒形态均会发生显著变化。以多种SnPb凸点为研究对象,分析高温存储对凸点可靠性的影响,结果表明:10Sn90Pb凸点剪切强度波动幅度较小;Sn含量越高,高温存储后焊料界面处IMC层越厚,63Sn37Pb焊料界面IMC变化最为明显;63Sn37Pb凸点IMC生长速度较快,晶粒粗化现象较为严重。
文惠东林鹏荣曹玉生练滨浩王勇姚全斌
关键词：倒装焊可靠性
凸点材料的选择对器件疲劳特性的影响被引量：2
2017年
为了研究凸点材料对器件疲劳特性的影响,采用非线性有限元分析方法、统一型黏塑性本构方程和Coffin-Manson修正方程,对Sn3.0Ag0.5Cu,Sn63Pb37和Pb90Sn10三种凸点材料倒装焊器件的热疲劳特性进行了系统研究,对三种凸点的疲劳寿命进行了预测,并对Sn3.0Ag0.5Cu和Pb90Sn10两种凸点材料倒装焊器件进行了温度循环试验。结果表明,仿真结果与试验结果基本吻合。在热循环过程中,凸点阵列中距离器件中心最远的焊点,应力和应变变化最剧烈,需重点关注这些危险焊点的可靠性;含铅凸点的热疲劳特性较无铅凸点更好,更适合应用于高可靠的场合;而且随着铅含量的增加,凸点的热疲劳特性越好,疲劳寿命越长。
刘建松姚全斌林鹏荣曹玉生练滨浩
关键词：有限元仿真倒装焊应力分布
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