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崔雪梅

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇性能研究
  • 1篇亚胺
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇场发射
  • 1篇场发射性能
  • 1篇场发射阴极

机构

  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇丁桂甫
  • 1篇邓敏
  • 1篇崔雪梅
  • 1篇王艳

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
植布法制备镍基碳纳米管场发射阴极及其性能研究被引量：1
2011年
提出了一种新型的制备碳纳米管场发射阴极的方法———植布法,详细描述了植布法工艺,并用扫描电镜观察植布法得到的样品的表面形态,讨论了球磨工艺、碳管和聚合物分散剂不同质量配比,及聚合物介质刻蚀时间的长短对最终场发射阴极性能的影响。实验表明植布法制备的场发射阴极具有良好的场发射性能,如低的开启电压(约为1.7V/μm),高的电流密度(在3.6V/μm下,电流密度可以达到26mA/cm2)。该方法结合了传统直接生长和丝网印刷法制备碳纳米管阴极的优点,实现了碳纳米管与金属基底可靠结合的结构,广泛适用于以该结构作为核心功能单元的器件。
崔雪梅王艳邓敏丁桂甫
关键词：碳纳米管聚酰亚胺场发射阴极场发射性能
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