孙万峰
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响被引量：1
- 2006年
- 以氮等离子体为氮源,以三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长GaN缓冲层。主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响。实验中采用了氢氮混合等离子体清洗的方法,提高了清洗的质量。用X射线衍射来表征晶体的结构,用原子力显微镜来表征表面形貌。通过对高能电子衍射仪获得的缓冲层与氮化层的衍射图样进行比较,对GaN的氮化实验参数进行了优化。
- 孙万峰顾彪徐茵秦福文马世猛
- 关键词：GAN氮化缓冲层
- GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析
- 2006年
- 在改进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学汽相沉积(ECR-PEMOCVD)装置(ESPD-U)中,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。在不同的温度、氮氢流量下,分别对α-Al2O3衬底进行等离子体清洗和氮化, 并用RHEED实时监测。通过对RHEED图像的分析,得出衬底清洗和氮化的最佳条件。
- 马世猛徐茵顾彪秦福文孙万峰
- 关键词：化学汽相沉积反射高能电子衍射氮化镓蓝宝石氮化
- GaN生长中氮化工艺及GaMnN薄膜生长研究
- GaN材料因为其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景。
在国家自然科学基金/(自组装GaN量子点结构的ECR-PE...
- 孙万峰
- 关键词：GAN氮化GAMNN
- 文献传递
