朱宇清
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- 一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜及制备方法
- 一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜，为h-BN/Al/金刚石复合膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和纳米六方氮化硼h-BN膜依次叠加组成，其制备方法是采用MOCVD沉积系统制备，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体...
- 陈希明张倩阴聚乾朱宇清李福龙郭燕孙连婕
- 文献传递
- 适用于高频SAW器件高品质AIN薄膜研究与表征
- 随着通讯系统和其他相关系统高速发展，声表面波的应用频率也进入了高频(5GHz以上)时代，相比于氧化锌、铌酸锂等普遍使用的压电薄膜材料SAW传播速度均低于6000m/s，氮化铝在所有非铁电性材料中，它的SAW传播速度是最快...
- 朱宇清
- 关键词：声表面波AIN薄膜
- 文献传递
- 一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法
- 一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜，为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构，其制备方法是：将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中，以石墨、铝为靶材，沉积类金刚石/铝薄膜；然后以氧化锌...
- 陈希明张倩阴聚乾朱宇清李福龙郭燕孙连婕
- 文献传递
- 适用于高频SAW器件高品质AlN薄膜研究与表征
- 随着通讯系统和其他相关系统高速发展，声表面波的应用频率也进入了高频（5GHz以上）时代，相比于氧化锌、铌酸锂等普遍使用的压电薄膜材料SAW传播速度均低于6000m/s，氮化铝在所有非铁电性材料中，它的SAW传播速度是最快...
- 朱宇清
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- 大面积均匀平坦纳米AlN薄膜的研制
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法,通过优化沉积工艺,在n型(100)Si片上制备出(100)择优取向表面粗糙度均匀的氮化铝(AlN)薄膜。当溅射功率为120 W和N2∶Ar=12∶8时,制备的AlN薄膜的结晶性最好,101.6mm AlN薄膜样品的表面粗糙度为3.31-3.03nm,平均值为3.17nm。研究结果表明:射频磁控溅射能量和N2浓度是实现大面积、均匀平坦、纳米级AlN薄膜的重要制备工艺参数。
- 朱宇清陈希明李福龙李晓伟杨保和
- 关键词：表面粗糙度均匀性
- 一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法
- 一种多层膜结构的声表面波器件，由CVD金刚石薄膜、a轴择优取向的氮化铝（a-AlN）薄膜、c轴择优取向的氮化硼（c-BN）薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加组成金刚石-复合膜结构，所述CVD金刚石薄膜的厚度为20-25u...
- 陈希明李福龙薛玉明朱宇清张倩阴聚乾郭燕孙连婕
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- 一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液及应用
- 一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液，由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂混合组成，其中纳米研磨料为氧化铈或二氧化硅，pH调节剂由无机pH调节剂和有机pH调节剂组成复合pH调节剂，...
- 张楷亮张涛峰王芳任君尹立国王兰兰朱宇清
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- 适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜,研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶质量得到提高;但溅射功率过大,ZnO薄膜的择优取向变差。压电响应力显微镜(PFM)测量表明,溅射功率对薄膜的压电性能和极化取向也有很大影响,在所制备的薄膜中,多数晶粒的自发极化方向均垂直向上,表明所制备ZnO薄膜的表面主要为O截止;压电响应的振幅与薄膜的结晶质量和择优取向相关,在溅射功率为150W条件下制备的ZnO在垂直于表面方向上表现出最大压电响应振幅,同时薄膜极化取向分布的一致性最好。
- 苏林杨保和王芳李翠萍朱宇清
- 关键词：ZNO薄膜溅射功率
- 一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法
- 一种择优取向的AlN压电薄膜，由CVD金刚石衬底和a轴择优取向AlN薄膜叠加组成，CVD金刚石衬底厚度为20-25um、表面粗糙度低于5nm，a轴择优取向AlN薄膜厚度为60-80nm；其制备方法是：将清洗后的CVD金刚...
- 陈希明李福龙薛玉明朱宇清张倩阴聚乾郭燕孙连婕
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