唐蓉
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市重点实验室开放基金国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 聚对苯撑苯并双噁唑的光电性能研究
- 唐蓉
- 关键词：共轭聚合物光电子器件
- 聚苯撑苯并双噁唑的电致发光被引量：2
- 2008年
- 通过光谱技术、电化学特性等对聚苯撑苯并双噁唑(PBO)的性能进行了系统研究。通过电化学分析获得该聚合物最高占有分子轨道能级(HOMO)大约为EHOMO=5.69eV,通过光谱分析计算得到最低空轨道能级(LUMO)大约为ELUMO=2.99eV。PBO的溶液光致发光在430～500nm范围,呈现明显的浓度效应;其薄膜的光致发光峰大约位于500nm。研究制作了以PBO为发光层的单层电致发光器件ITO/PBO(60nm)/Al和双层电致发光器件ITO/CuPc(25nm)/PBO(60nm)/Al,其电致发光峰位具有聚集态发光的特征。器件的发光亮度和稳定性在双层器件中获得提高,器件的发光峰位随驱动电压大小在520～555nm范围变化。
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- 关键词：共轭聚合物电致发光器件
- 聚对苯撑苯并双噁唑发光及其器件制备被引量：3
- 2009年
- 采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双噁唑(PBO)溶液的光致发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围。结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右。同时发现,由于在制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同,使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加。
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- 关键词：光致发光电致发光
- 聚对苯撑苯并双噁唑共轭聚合物的电致发光
- 共轭聚合物的光电性能研究自20世纪70年代开始备受关注,作为导电聚合物最具代表性的聚乙炔(PA)可以通过掺杂获得可与金属篦美的导电性能,已被人们熟知;作电致发光聚合物的代表性工作为1990年剑桥大学 Cavendish ...
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- 文献传递
- 聚对苯撑苯并双噁唑材料的光电性能研究
- 本文先简单概述了具有共轭结构的聚对苯撑苯并双嗯唑(PBO)材料的基本性质、光物理性能、光电性能、液晶性能以及PBO与纳米技术和离子注入技术应用。PBO是一种力学强度高、耐热性能优良、且具有耐氧化、耐潮湿等优良特性，是20...
- 唐蓉
- 关键词：共轭聚合物光电性能发光机理
- 文献传递
