李振勇
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：曲阜师范大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Mg掺杂CdSe电子结构和光学性质的第一性原理被引量：6
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了纤锌矿结构Cd1-xMgxSe(x=0,0.125,0.250,0.375)的电子结构和光学性质。结果表明,不同系统的价带顶都主要由Se4p态决定,其位置基本不变;导带底由Se4 s态和Cd5 s共同决定,并且随着掺杂浓度的增加向高能区移动,结果使得带隙展宽,由此使得系统介电函数虚部的峰值和折射率实部的峰值随掺杂浓度的增大而蓝移,计算结果与实验符合。
- 王亚超王梅苏希玉李振勇赵伟
- 关键词：CDSE电子结构光学性质第一性原理
- 闪锌矿Ga1-xAlxN电子结构和光吸收的第一性原理被引量：3
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了不同浓度Al（x=0,0.125,0.250,0.375,0.500）掺杂闪锌矿GaN体系的电子结构和光学吸收谱。结果表明：Al掺杂导致系统的晶格常数减小,禁带宽度增大,吸收谱蓝移,可以达到日盲区紫外线探测器的要求。
- 李振勇王梅苏希玉王亚超赵伟
- 关键词：闪锌矿第一性原理电子结构吸收谱
- GaN掺杂系统电子结构和光学性质的理论研究
- 近几十年来，随着半导体技术的迅速发展，以宽带隙为主要特征的第三代半导体材料，如GaN、SiC、ZnO等显示出了巨大的应用价值。其中，GaN半导体材料具有带隙宽、电子漂移速度快、耐高温、耐高压、抗辐射等优点，在短波长器件以...
- 李振勇
- 关键词：GAN第一性原理电子结构光学性质
- 文献传递
