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金国玺

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇英文
  • 1篇烧绿石
  • 1篇碳酸镁
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷制备
  • 1篇片状结构
  • 1篇镧掺杂
  • 1篇流延
  • 1篇流延法
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇碱式
  • 1篇碱式碳酸镁
  • 1篇PMNT
  • 1篇CABI
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇上海师范大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 2篇孙大志
  • 2篇金国玺
  • 1篇林静容
  • 1篇唐艳雪
  • 1篇郑倩倩
  • 1篇宫兆泉
  • 1篇马丽
  • 1篇刘永勤

传媒

  • 1篇上海师范大学...
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
新型片状结构的碱式碳酸镁合成PMNT的研究
2010年
采用微米级的碱式碳酸镁作为原料,用一步烧结的方法制备铁电材料0.67Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3(PMNT)。经过1200℃烧结后, XRD测试没有发现烧绿石相。与传统的使用氧化镁为原料的两步烧结法相比,此方法方便。同时,系统地研究了此方法可以避免烧绿石相的原因。
宫兆泉马丽刘永勤金国玺孙大志
关键词:碱式碳酸镁
CaBi_4Ti_4O_(15)基陶瓷制备与镧掺杂的性能优化(英文)
2012年
两步法烧结制备一系列CaBi4-xLaxTi4O15(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)(CBLT-x):以氧化物为前驱体用熔盐法合成片状粉体,然后通过晶体定向技术制备后烧结成陶瓷.通过SEM微观结构表征来确定增加镧掺杂和温度对晶粒生长和织构形成的影响.当镧掺杂(x=0.4)烧结温度在1150℃时,CBLT-x陶瓷在垂直于流延方向上介电常数可提高到570.CBLT-x系列陶瓷的介电常数和介电损耗在垂直于流延的方向的数值都高于平行方向上.控制CBLT-x陶瓷结构化和晶粒生长的机理首次用3D模式进行了讨论.
郑倩倩金国玺唐艳雪林静容孙大志
关键词:流延法介电性能
共1页<1>
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