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何庆国

作品数：14 被引量：34H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单片
  • 2篇电路
  • 2篇谐振器
  • 2篇铝合金
  • 2篇晶体管
  • 1篇大信号
  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单刀双掷开关
  • 1篇单片电路
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇倒装
  • 1篇倒装芯片
  • 1篇低相噪
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电长度
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇电阻

机构

  • 14篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 14篇何庆国
  • 2篇王抗旱
  • 2篇刘亚男
  • 2篇林勇
  • 1篇卜爱民
  • 1篇白银超
  • 1篇蔡树军
  • 1篇杨克武
  • 1篇默江辉
  • 1篇赵夕彬
  • 1篇李静强
  • 1篇胡志富
  • 1篇郝金中
  • 1篇冯志红
  • 1篇王勇
  • 1篇宋学峰
  • 1篇吴家锋
  • 1篇周国
  • 1篇王嘉
  • 1篇戴剑

传媒

  • 8篇半导体技术
  • 1篇电焊机
  • 1篇焊接技术
  • 1篇微波学报
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇2001年全...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2001
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太赫兹InP DHBT器件研究被引量：1
2022年
InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿法化学腐蚀工艺、自终止工艺、自对准光刻工艺和空气桥工艺等加工工艺研制得到发射极线宽0.7μm的InP DHBT器件,并配套集成了平行板电容和金属薄膜电阻,片内器件一致性良好。不断缩小器件基区台面面积,器件电性能最终实现:最大直流增益β为30,10μA下的集电极-发射极击穿电压BV_(CEO)为3.2 V,截止频率f(fr)为358 GHz,最大振荡频率f(fmax)为407 GHz。测试结果表明,该器件可应用于220 GHz放大器、100 GHz以下压控振荡器等数模混合集成电路。
陈卓何庆国崔雍周国
关键词：高频器件空气桥
基于负载牵引法的小型化功率模块设计被引量：3
2009年
为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计。阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过程,运用ADS软件对功率放大器的微波性能如增益、驻波比和功率附加效率等进行了优化,并在此基础上设计了S波段小型化功率放大器模块。制作的单级功率放大器模块在500MHz带宽内Gp>9dB,VSWR≤1.5∶1,Pout≥34.6dBm。
吴家锋何庆国赵夕彬
关键词：小型化功率放大模块
基于线性叠加技术的0.38THz四倍频器设计
2017年
太赫兹倍频器是实现太赫兹源的重要途径之一。基于线性叠加技术,研制了0.38 THz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络级联的方式,设计了四路移相功分结构,通过零电长度合成,实现了单级四倍频,同时基波和其他无用谐波得到了很好的抑制。设计中先对无源结构进行三维电磁场仿真,然后与有源部分联合仿真优化,在370~410 GHz频率范围内,变频损耗小于25 d B。
王亚冰何庆国刘亚男胡志富
关键词：四倍频单片电路
基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计被引量：3
2016年
基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC^26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和GaAs PHEMT开关建模的概念,利用建模软件提取了相应的模型;对倒装单刀双掷开关MMIC的设计进行了详细阐述;对制备的倒装单刀双掷开关MMIC进行测试。测试结果表明,回波损耗大于15 d B,插损小于2.8 d B,隔离度大于28 d B。最后对芯片进行温度循环试验和恒定加速度试验,验证了这款基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC的可靠性。
高显何庆国白银超王凯
关键词：倒装芯片
用于SiC MESFET直流测试的夹具
本发明公开了一种用于SiC MESFET直流测试的夹具，其包括馈电模块和用于固定待测SiC MESFET的固定支架，还包括一与馈电模块分立的基座，基座上设置上述固定支架。采用本发明克服了常规直流测试的夹具不能在高于200...
默江辉王勇李静强王翔冯志红何庆国蔡树军杨克武
文献传递
W频段微带-波导转换被引量：6
2008年
研究了W波段微带到波导的转换技术。通过对波导-同轴以及同轴-微带转换的研究，给出了转换设计的一般步骤以及计算公式。为了提高转换性能，采用了两截2／4阻抗变换段进行微带与绝缘子探针的阻抗匹配，有效改善了驻波系数。这种方式具有密封性好、可靠性高的优点，被广泛采用。在75～77GHz的频带范围内，两个转换的总插入损耗≤2．5dB，回波损耗≤-18dB。
林勇何庆国
关键词：W波段同轴
基于ANSYS的高硅铝合金平板对接激光焊数值模拟被引量：1
2020年
介绍目前国内外高硅铝合金激光焊接的趋势,详细阐述ANSYS激光焊接有限元模拟的分析过程,从几何模型的建立、网格划分、定义材料属性等方面介绍了前处理过程;从热源的加载、生死单元技术、瞬态热分析方面介绍了温度场分析过程,获得了焊接及冷却过程温度场分布情况;通过ANSYS后处理器得到了温度场分布云图;通过热结构耦合过程得到了焊接瞬时应力分布。仿真得到的温度场满足焊接温度需求,应力场分布会产生一定的形变。
王鹏陆何庆国
关键词：高硅铝合金网格划分生死单元
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
2023年
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容,提高了放大器的高频输出阻抗,进而拓宽了带宽,提高了高频增益,并降低了噪声。在片测试结果表明,在5 V单电源电压下,在2~18 GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5 dB,增益平坦度小于±1 dB,1 dB压缩点输出功率大于13.5 dBm,噪声系数小于1.5 dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,工作电流为100 mA,芯片面积为2 mm×1 mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中,有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。
李士卿何庆国戴剑
毫米波多通道成像系统
＜正＞通过测量物体热辐射,经信号处理得到物体的图像。系统包括辐射传感器阵列,接收通道、校准单元、多波束准光学天线、天线机械扫描及控制单元、数据处理单元、电源及显示等部分组成,系统原理框图如图1所示。
何庆国卜爱民李松发
文献传递
Ka波段介质谐振器的研究被引量：2
2008年
介质谐振器由于具有体积小、损耗低等优点,得到了越来越广泛的应用。设计了一款Ka波段介质稳频振荡器,振荡器中集成了介质谐振器用于选频。通过采用合适的介质振荡子及适当尺寸的金属屏蔽腔,使介质谐振器谐振在Ku波段,再通过单片进行倍频放大,从而得到Ka波段信号。介绍了介质振荡子的选取及参数计算。并以此为根据作为介质谐振器的设计原则,最后得到的Ka波段信号输出频率(fo)为38.22 GHz,输出功率(Po)为7.38 dBm,相位噪声为-80 dBc/Hz@100 kHz。
王嘉林勇何庆国
关键词：KA波段信号源介质谐振器
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