霍帅
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
- 2018年
- 采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。
- 江丽红杨扬霍帅曹正义孔月婵
- 关键词：碳纳米管射频晶体管T型栅
- 基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件
- 2022年
- 半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管薄膜材料,突破低维材料常用的湿法转移方法带来的局限,以避免转移过程中薄膜应力不均匀导致的褶皱、破损以及电学性能严重退化等问题,利用不同材料界面间范德华力的差异,开发了碳纳米管薄膜干法转移方法。
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- 关键词：碳纳米管薄膜低维材料准一维范德华力衬底材料
- 高频柔性石墨烯FET器件研制
- 霍帅吴云周建军
