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张正璠

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇温度模型
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇TF
  • 1篇CMOS
  • 1篇EM
  • 1篇AM

机构

  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 1篇汪沁
  • 1篇张海鹏
  • 1篇冯耀兰
  • 1篇魏同立
  • 1篇张正璠

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型
2006年
详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.
张海鹏魏同立冯耀兰汪沁张正璠
关键词：绝缘层上硅CMOS
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共1页<1>
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