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高晓强

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇INAS量子...
  • 1篇MBE

机构

  • 1篇四川大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇贺端威
  • 1篇邓闯
  • 1篇高晓强
  • 1篇王凯

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ge基GaAs薄膜和InAs量子点MBE生长研究
2013年
采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜。通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平。
高晓强王凯邓闯贺端威
关键词：分子束外延INAS量子点
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