高丽娟
- 作品数：8 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法被引量：2
- 2014年
- 文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果和重离子单粒子效应试验结果符合较好.仿真计算揭示了器件单粒子翻转敏感程度与器件n,p截止管区域面积相关的物理机理,并获得了不同线性能量转移(LET)值下单粒子翻转灵敏区域分布.采用蒙特卡洛方法计算了具有相同LET、不同能量的离子径迹分布,结果显示高能离子的电离径迹半径远大于低能离子,而低能离子径迹中心的能量密度却要高约两到三个数量级.随着器件特征尺寸的减小,这种差别的影响将会越来越明显,阈值LET和饱和截面将不能完全描述器件单粒子效应结果.
- 王晓晗郭红霞雷志锋郭刚张科营高丽娟张战刚
- 关键词：蒙特卡罗单粒子翻转
- 离子径迹结构对SRAM单粒子翻转截面的影响被引量：2
- 2014年
- 本文基于北京HI-13串列加速器的单粒子效应测试终端对0.15μm工艺的SRAM进行了单粒子效应测试,再次验证了在截面曲线接近饱和区部分,高能离子翻转截面低于低能离子翻转截面的现象。采用Geant4对其进行模拟研究,结果表明,相同LET条件下高能离子可在较远处沉积能量,更易使同一存储单元内相邻的节点共享电荷发生单粒子翻转恢复而减小其单粒子翻转截面,而低能离子进行单粒子效应测试的结果相对保守。
- 高丽娟郭刚蔡莉何安林
- 关键词：单粒子翻转离子径迹电荷收集扩散电荷共享
- 用核孔膜确定单粒子效应专用辐照管道束流分布的方法
- 本发明属于辐照管道束流分布测量技术，具体涉及一种用核孔膜确定单粒子效应专用辐照管道束流分布的方法。该方法将经重离子束流辐照后的核孔膜进行化学蚀刻；确定管道束流的束斑大小尺寸；利用在光学显微镜上安装的摄像头采集蚀刻后的核孔...
- 惠宁郭刚沈东军高丽娟史淑廷王慧
- 文献传递
- 高电荷态重离子束流产生技术的研究被引量：3
- 2014年
- 为了提高北京HI-13串列加速器束流的硅中射程和LET值,本文开展了高电荷态束流引出技术及pA级弱束流诊断技术研究。采用电刚度和磁刚度模拟技术,配合pA级弱束流束斑观测和束流强度监测技术,获得能量360MeV、峰总比80%的197 Au离子束流,其在Si中的表面LET为86.1MeV·cm2·mg-1、射程为30.1μm,满足单粒子效应(SEE)实验的要求,拓展了北京HI-13串列加速器上单粒子效应实验所用离子的能量和LET值范围。
- 高丽娟史淑廷郭刚刘建成陈泉沈东军惠宁王贵良孔福全范辉蔡莉王惠
- 关键词：高电荷态单粒子效应
- 单粒子翻转二维成像技术被引量：5
- 2012年
- 为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。
- 史淑廷郭刚王鼎刘建成惠宁沈东军高丽娟苏秀娣陆虹
- 一种重离子单粒子试验样品布局与移动控制方法及系统
- 本发明涉及一种重离子单粒子试验样品的布局与移动控制方法及系统。属于核物理试验领域。现有试验中控制软件操作不便且可能出现人为失误。本发明所述的方法及系统首先与样品平台控制器进行通讯；然后获取并显示所述样品平台的状态，监测所...
- 范辉沈东军郭刚刘建成史淑廷惠宁蔡莉高丽娟何安林
- 文献传递
- 一种重离子单粒子试验样品布局与移动控制方法及系统
- 本发明涉及一种重离子单粒子试验样品的布局与移动控制方法及系统。属于核物理试验领域。现有试验中控制软件操作不便且可能出现人为失误。本发明所述的方法及系统首先与样品平台控制器进行通讯；然后获取并显示所述样品平台的状态，监测所...
- 范辉沈东军郭刚刘建成史淑廷惠宁蔡莉高丽娟何安林
- 文献传递
- 65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转实验研究被引量：5
- 2014年
- 基于北京HI-13串列加速器质子源及技术改进工作,获得2~15 MeV低能质子束流。针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储器（SRAM）,开展了质子单粒子翻转实验研究。实验结果表明,低能质子通过直接电离机制可在存储器中引起显著的单粒子翻转,其翻转截面较核反应机制引起的翻转截面大2~3个数量级。结合实验数据分析了质子翻转机制、LET值及射程、临界电荷及空间软错误率等,分析结果表明,实验器件翻转临界电荷约为0.97fC,而低能质子超过高能质子成为质子软错误率的主要贡献因素。
- 何安林郭刚陈力沈东军任义刘建成张志超蔡莉史淑廷王惠范辉高丽娟孔福全
- 关键词：质子单粒子翻转
