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朱建国

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：四川联合大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇丁烷
  • 2篇熔剂
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏材料
  • 2篇气敏元件
  • 2篇微结构
  • 2篇微结构研究
  • 2篇分子比
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 2篇催化剂组成
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇半导体薄膜技...
  • 1篇PBTIO3

机构

  • 4篇四川联合大学

作者

  • 4篇肖定全
  • 4篇朱建国
  • 2篇彭文斌
  • 2篇陈猛
  • 2篇余萍

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2001
  • 3篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
多离子束反应共溅射制备PbTiO3铁电薄膜的微结构研究
本文利用多离子束反应共溅射装置,分别在 Si 和 MgO 衬底上原位制备了 Pb-Ti 氧化物薄膜。研究表明,利用多离子束反应共溅射技术,可以显著降低薄膜后续热处理的温度;薄膜中焦绿石结构的消失温度与薄膜中 Pb 的含量...
彭文斌陈猛朱建国兰发华肖定全
文献传递
三氧化二铝基气敏材料
三氧化二铝基气敏材料及气敏元件，属于一种陶瓷气敏材料及元件。采用活性Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为基体材料(分子比为45%-95%)，配以助熔剂B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
肖定全余萍朱建国
文献传递
多离子束反应共溅射制备PbTiO_3铁电薄膜的微结构研究
1997年
本文利用多离子束反应共溅射装置，分别在Ｓｉ和ＭｇＯ衬底上原位制备了ＰｂＴｉ氧化物薄膜。研究表明，利用多离子束反应共溅射技术，可以显著降低薄膜后续热处理的温度；薄膜中焦绿石结构的消失温度与薄膜中Ｐｂ的含量有关；较之Ｓｉ衬底，在ＭｇＯ衬底上的薄膜较易获得好的晶体结构和优良的薄膜表面形貌。对所观察到的现象。
彭文斌陈猛朱建国兰发华肖定全
关键词：铁电薄膜半导体薄膜技术
三氧化二铝基气敏材料及气敏元件
三氧化二铝基气敏材料及气敏元件，属于一种陶瓷气敏材料及元件。采用活性Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为基体材料(分子比为45％-95％)，配以助熔剂B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
肖定全余萍朱建国
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