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潘彬

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇盖层
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体量子点
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇INAS/G...

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇黄黎蓉
  • 1篇费淑萍
  • 1篇黄德修
  • 1篇田芃
  • 1篇徐巍
  • 1篇余奕
  • 1篇潘彬

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响被引量：4
2010年
利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8nm增加到12nm,发光波长从1256.0nm红移到1314.4nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.
田芃黄黎蓉费淑萍余奕潘彬徐巍黄德修
关键词：半导体量子点盖层
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共1页<1>
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