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李志明

作品数:3 被引量:10H指数:2
供职机构:华中科技大学光电子科学与工程学院激光技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 2篇等离子体
  • 2篇烧蚀
  • 2篇飞秒
  • 2篇飞秒激光
  • 1篇等离子体激元
  • 1篇低频
  • 1篇电器件
  • 1篇形貌
  • 1篇制导
  • 1篇制导系统
  • 1篇全固态
  • 1篇全固态激光
  • 1篇激光干扰
  • 1篇激光烧蚀
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇光干扰
  • 1篇硅材料
  • 1篇飞秒激光烧蚀

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇聂劲松
  • 3篇李志明
  • 2篇王玺
  • 1篇豆贤安
  • 1篇赵明辉
  • 1篇王磊

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报

年份

  • 3篇2017
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
0.53μm和1.06μm双波长复合激光干扰光电器件的实验研究被引量:3
2017年
利用自行设计的0.53和1.06μm双波长复合输出激光器,对复合激光干扰COMS相机和激光半主动(SAL)制导系统的效能进行了实验评估。在CMOS相机干扰实验中,分析了复合激光连续和5kHz高重频输出时的干扰效果;分别在有无激光防护两种情况下,对比了复合激光与单波长激光的有效干扰面积曲线。结果表明,存在激光防护措施时,复合激光的有效干扰面积较单波长激光干扰提升显著,其有效干扰面积分别最大增加67.0%和53.1%。在SAL制导系统干扰实验中,对比了导引头在复合激光和0.53μm波长激光干扰下的预处理信号波形。结果表明,高重频复合激光能有效扰乱导引头的预处理信号,使其波形相关度最大降低25.1%,干扰效果较0.53μm波长激光提升显著。
王磊赵明辉聂劲松胡瑜泽李志明豆贤安
关键词:全固态激光激光干扰
飞秒激光烧蚀硅材料表面形成周期波纹形貌研究被引量:2
2017年
基于Sipe-Drude模型和表面等离子体激元(SPP)的干涉理论分别对单脉冲飞秒激光诱导硅表面形成低频率周期性波纹进行分析研究.探究了波长800 nm、脉宽150 fs的单个飞秒激光烧蚀硅造成不同激发水平下波纹形貌的变化,考虑到材料的光学性质变化(由Drude模型得到的介电常数变化),引入包含双温方程的电子数密度模型.计算结果表明,Sipe-Drude和SPP理论都适用于分析和解释高激发态下周期性波纹,但Sipe-Drude理论更适合分析更为广泛的周期性波纹结构.同时,波纹延伸方向总是垂直于入射激光偏振方向,其空间周期略小于激光波长,并受到入射激光通量的影响.在激光通量为0.38 J/cm^2时,波纹周期达到最小值.另外,还得到了不同入射角度的波纹周期变化情况,并在不同偏振态下随入射角度增大时波纹周期呈现相反的变化趋势.该研究对于理解飞秒激光造成硅表面形成周期结构及其在加工硅材料领域具有重要参考意义.
李志明王玺聂劲松
关键词:表面等离子体激元
飞秒激光打孔硅的孔洞形貌研究被引量:5
2017年
在飞秒激光打孔硅材料过程中,为了得到表面等离子体效应和激光烧蚀形成的孔洞对后续激光能量在孔内分布的影响,建立单脉冲等离子体阈值理论模型及设计连续飞秒激光烧蚀硅材料实验.理论计算得到的损伤阈值为0.21J/cm2,符合实验模型测得的阈值0.20~0.25J/cm2.当载流子密度达到临界值Ncr,等离子体的激发会导致表面反射率短时间内急剧上升.入射激光通量从0.5J/cm2增大到3.0J/cm2,烧蚀深度逐渐增大并趋于约1.1μm,同时脉宽从150fs减小到50fs,烧蚀结构类似于椭圆形烧蚀轮廓.后续激光脉冲辐照在已形成的孔洞上时,基于时域有限差分法,控制光束与孔壁的夹角从79℃到49℃,激光能量越接近孔底中心,越易引发该范围内的等离子体激发;且在不同偏振态光束辐照下,孔底的能量分布不同会造成相应特殊的烧蚀形貌.增大激光通量和减小脉冲宽度获得理想的初始孔洞结构,可使后续脉冲能量集中孔底中心区域,打孔效果更好.
李志明王玺聂劲松
关键词:飞秒激光等离子体
共1页<1>
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