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罗芳

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院特种陶瓷研究所更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇化学工程

主题

  • 3篇陶瓷
  • 2篇电学性能
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇复合陶瓷
  • 2篇复合陶瓷材料
  • 2篇AL
  • 2篇TIN
  • 1篇导电
  • 1篇导电陶瓷
  • 1篇导电性能
  • 1篇电学
  • 1篇氧化铝
  • 1篇制备及性能
  • 1篇显微组织
  • 1篇力学性能
  • 1篇复相
  • 1篇复相陶瓷
  • 1篇SUB
  • 1篇O
  • 1篇力学性

机构

  • 3篇哈尔滨工业大...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 3篇罗芳
  • 1篇张培峰
  • 1篇杨治华
  • 1篇段小明
  • 1篇周玉
  • 1篇贾德昌
  • 1篇褚雷阳

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TiN基复合陶瓷材料的制备及性能
本文采用热压烧结工艺制备了不同粒径的α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基体、不同助烧剂SiO<sub>2</sub>含量和纳米TiNp含量的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-...
罗芳
关键词：电学性能
纳米TiN-Al_2O_3基复相陶瓷的电学及力学性能被引量：6
2010年
以纳米Al2O3和TiN为原料,以SiO2为助烧剂,热压烧结后获得TiN-Al2O3复相陶瓷。TiN-Al2O3复相陶瓷具有较优异的力学性能:三点弯曲强度最高达到565.8MPa,断裂韧性在4～6MPa·m1/2之间。复相陶瓷中立方TiN均匀地分布在Al2O3基体中,TiN颗粒主要分布在Al2O3晶界处。当TiN颗粒的体积含量为5%时,TiN-Al2O3复相陶瓷的电阻率在1012～104Ω·cm范围内,其加载电压可达0.75kV/mm。
杨治华贾德昌褚雷阳段小明罗芳周玉张培峰
关键词：导电陶瓷导电性能力学性能
Al/_2O/_3-TiN基复合陶瓷材料的制备及性能
本文采用热压烧结工艺制备了不同粒径的α-Al/_2O/_3基体、不同助烧剂SiO/_2含量和纳米TiNp含量的Al/_2O/_3-TiN基复合陶瓷材料。利用XRD、SEM、TEM分析了复合材料的微观组织结构;采用维氏压痕...
罗芳
关键词：显微组织电学性能
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