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姬春晖

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇氧化钒薄膜
  • 3篇吸收率
  • 3篇硅膜
  • 3篇二氧化钒
  • 3篇二氧化钒薄膜
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇低价
  • 2篇电极
  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇掩模
  • 2篇掩模版
  • 2篇乙烯
  • 2篇太赫兹
  • 2篇探测器
  • 2篇透镜
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇退火
  • 2篇球形空腔

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇姬春晖
  • 10篇吴志明
  • 6篇王军
  • 6篇吴雪飞
  • 4篇杜玲艳
  • 4篇张帆
  • 4篇蒋亚东
  • 4篇李睿
  • 4篇李世彬
  • 4篇唐菲
  • 4篇李伟
  • 4篇胡征
  • 2篇苟君
  • 2篇周泓希
  • 2篇黄泽华

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备黑硅材料的方法
本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量...
吴志明唐菲杜玲艳李睿胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
氧化钒基薄膜相变性能调控与应用研究
二氧化钒(VO2)作为一种具有相变特性的功能材料,在68℃附近可发生由高温四方金属相(R)到低温单斜绝缘体相(M1)的可逆相变,相变前后伴随着光学、电学和磁学等物理性质的突变,因而在智能窗、开关调制、记忆存储、场效应晶体...
姬春晖
关键词：二氧化钒薄膜掺杂改性缓冲层相变性能
文献传递
基于场效应晶体管的量子点近红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于场效应晶体管的量子点近红外探测器及其制备方法，属于光电探测领域；该探测器利用结型场效应晶体管的原理进行探测，结构从下至上包括：硅衬底层、硅沟道层、离子注入区、绝缘介质层、金属电极层、量子点层，金属电极...
吴志明石沅林向梓豪姬春晖王军蒋亚东
文献传递
一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器及其调控方法
本发明公开了一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器，涉及一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器垂直结构的设计，其目的在于提供一种电控触发的二氧化钒调制器的制备方法，解决传统二氧化钒调制器开关速度慢、需要外加装置等问题。该垂直结构...
吴志明姬春晖张帆向梓豪杨仁辉
文献传递
一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法
本发明公开了一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法，通过将表面带有平行电极的衬底倾斜静置在单壁碳纳米管、去离子水、表面活性剂、有机聚合物混合制得的胶状液体中，由于平行电极对碳纳米管的尺寸效应使碳纳米管能够在平行电极...
王军周泓希黄泽华孙斌玮吴雪飞姬春晖蒋亚东
文献传递
一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法
本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒...
吴志明李睿杜玲艳唐菲胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法
本发明公开了一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法，涉及电子材料领域，所述方法采用磁控溅射技术，以金属钒为靶材，以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为基底，在有氧环境下分两次溅射，第一次溅射氧浓...
吴志明张帆姬春晖向梓豪杨仁辉
文献传递
一种微透镜掩模版及其制备方法
本发明公开了一种微透镜掩模版及其制备方法，属于纳米光子器件技术领域，方法包括：在衬底上组装单层聚苯乙烯微球，形成第一样片；在第一样片上涂布第一胶体，刻蚀第一胶体以露出部分聚苯乙烯微球，形成第二样片；去除第二样片上的聚苯乙...
王军崔官豪刘贤超姬春晖苟君
文献传递
一种溶液静置法制备定向排布单臂碳纳米管的方法
本发明公开了一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法，通过将表面带有平行电极的衬底倾斜静置在单壁碳纳米管、去离子水、表面活性剂、有机聚合物混合制得的胶状液体中，由于平行电极对碳纳米管的尺寸效应使碳纳米管能够在平行电极...
王军周泓希黄泽华孙斌玮吴雪飞姬春晖蒋亚东
一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器及其调控方法
本发明公开了一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器，涉及一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器垂直结构的设计，其目的在于提供一种电控触发的二氧化钒调制器的制备方法，解决传统二氧化钒调制器开关速度慢、需要外加装置等问题。该垂直结构...
吴志明姬春晖张帆向梓豪杨仁辉
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